NMOS器件及其集成工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611010922.6

申请日：

2016-11-17

公开(公告)号：

CN106328590A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

李娟娟

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8234 申请公布日:20170111
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702039604 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:2016110109226 申请日:20161117

共 50 条

[1]

PMOS器件及其集成工艺方法 [P].

李娟娟 .

中国专利 :CN106298657A ,2017-01-04

[2]

NMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104851916A ,2015-08-19

[3]

一种NMOS器件及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

胡君 ;

钱文生 ;

韩峰 ;

石晶 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN103094339A ,2013-05-08

[4]

NMOS器件及其形成方法 [P].

甘正浩 ;

吴永坚 ;

郭锐 ;

廖金昌 .

中国专利 :CN102097320B ,2011-06-15

[5]

NMOS器件及其制备方法 [P].

李梦珂 ;

周旭亮 ;

于红艳 ;

李士颜 ;

米俊萍 ;

潘教青 .

中国专利 :CN103177971B ,2013-06-26

[6]

ESD NMOS器件结构 [P].

颜丙勇 ;

杜宏亮 .

中国专利 :CN106024896A ,2016-10-12

[7]

NMOS器件制造方法和NMOS器件 [P].

轩慎龙 ;

勾鹏 ;

刘巍 .

中国专利 :CN113394102A ,2021-09-14

[8]

一种低压本征NMOS器件及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

石晶 ;

钱文生 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN103050529B ,2013-04-17

[9]

FDSOI NMOS器件及其制造方法 [P].

彭利 .

中国专利 :CN121174556A ,2025-12-19

[10]

NMOS器件及其制备方法以及显示装置 [P].

强朝辉 ;

全祥皓 .

中国专利 :CN108288588A ,2018-07-17

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