一种低压本征NMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210009713.5

申请日：

2012-01-13

公开(公告)号：

CN103050529B

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

刘冬华石晶钱文生胡君段文婷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L2910 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457126776 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100097135 申请日:20120113
2014-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101691308439 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100097135 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140115
2016-08-17	授权	授权
2013-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种NMOS器件及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

胡君 ;

钱文生 ;

韩峰 ;

石晶 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN103094339A ,2013-05-08

[2]

NMOS器件制造方法和NMOS器件 [P].

轩慎龙 ;

勾鹏 ;

刘巍 .

中国专利 :CN113394102A ,2021-09-14

[3]

双扩散漏NMOS器件及制造方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN107093625B ,2017-08-25

[4]

低源漏结电容的NMOS开关器件及其制造方法 [P].

段文婷 ;

刘冬华 ;

钱文生 ;

胡君 ;

石晶 .

中国专利 :CN103208512A ,2013-07-17

[5]

FDSOI NMOS器件及其制造方法 [P].

彭利 .

中国专利 :CN121174556A ,2025-12-19

[6]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN104916686A ,2015-09-16

[7]

NMOS器件及其集成工艺方法 [P].

李娟娟 .

中国专利 :CN106328590A ,2017-01-11

[8]

一种5V CMOS器件结构及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

钱文生 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 .

中国专利 :CN103094281B ,2013-05-08

[9]

一种高压LDMOS器件及其制造方法 [P].

程超 ;

崔崟 ;

郭兵 ;

梅奎 ;

金起凖 .

中国专利 :CN101783295B ,2010-07-21

[10]

一种半导体器件及其制造方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN105304492A ,2016-02-03

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