双扩散漏NMOS器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710249497.4

申请日：

2017-04-17

公开(公告)号：

CN107093625B

公开(公告)日：

2017-08-25

发明(设计)人：

段文婷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101748778999 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2017102494974 申请日:20170417
2021-06-04	授权	授权
2017-08-25	公开	公开

共 50 条

[1]

双扩散漏高压MOSFET的制造方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 .

中国专利 :CN102129996B ,2011-07-20

[2]

制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法 [P].

史望澄 ;

陈昱升 ;

何学缅 .

中国专利 :CN1412826A ,2003-04-23

[3]

NMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104851916A ,2015-08-19

[4]

垂直双扩散半导体元器件及其制造方法 [P].

冯超 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN110942992B ,2020-03-31

[5]

全隔离横向双扩散半导体器件及制造方法 [P].

陈燕宁 ;

王凯 ;

付振 ;

刘芳 ;

余山 ;

邓永峰 ;

吴波 ;

梁英宗 ;

郁文 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN115939141B ,2025-09-12

[6]

NMOS器件制造方法和NMOS器件 [P].

轩慎龙 ;

勾鹏 ;

刘巍 .

中国专利 :CN113394102A ,2021-09-14

[7]

横向双扩散晶体管的制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN111755337A ,2020-10-09

[8]

一种提高双扩散漏器件击穿电压的方法 [P].

汪雪娇 ;

石晶 ;

徐翠芹 ;

刘巍 .

中国专利 :CN113506743A ,2021-10-15

[9]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN102683187B ,2012-09-19

[10]

横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

李镕俊 .

中国专利 :CN101625998A ,2010-01-13

← 1 2 3 4 5 →