制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02150973.5

申请日：

2002-12-04

公开(公告)号：

CN1412826A

公开(公告)日：

2003-04-23

发明(设计)人：

史望澄陈昱升何学缅

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L2131

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

衷诚宣

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-06-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2003-04-23	公开	公开

共 50 条

[1]

双扩散漏NMOS器件及制造方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN107093625B ,2017-08-25

[2]

双扩散漏高压MOSFET的制造方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 .

中国专利 :CN102129996B ,2011-07-20

[3]

垂直双扩散半导体元器件及其制造方法 [P].

冯超 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN110942992B ,2020-03-31

[4]

垂直双扩散MOS器件的制作方法 [P].

赵文魁 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106328524A ,2017-01-11

[5]

高电压双扩散MOS (DMOS)装置及其制造方法 [P].

博米·陈 ;

索努·达里亚纳尼 .

中国专利 :CN105900246A ,2016-08-24

[6]

横向双扩散晶体管的制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN111755337A ,2020-10-09

[7]

横向双扩散晶体管的制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN111987165B ,2020-11-24

[8]

一种高频水平双扩散结构半导体器件的制造方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103871883A ,2014-06-18

[9]

一种具有集成电容的射频横向双扩散功率器件的制造方法 [P].

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN104882409A ,2015-09-02

[10]

横向双扩散晶体管及其制造方法 [P].

韩广涛 .

中国专利 :CN111710719A ,2020-09-25

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