垂直双扩散MOS器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510330440.8

申请日：

2015-06-15

公开(公告)号：

CN106328524A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

赵文魁赵圣哲

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

娄冬梅;黄健

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20170111
2017-01-11	公开	公开
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702028675 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015103304408 申请日:20150615

共 50 条

[1]

一种垂直双扩散 MOS 器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107359189A ,2017-11-17

[2]

射频横向双扩散MOS器件的制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106328523A ,2017-01-11

[3]

侧向双扩散MOS器件 [P].

林中 ;

黄金彪 ;

王新涛 .

中国专利 :CN114927571A ,2022-08-19

[4]

垂直双扩散半导体元器件及其制造方法 [P].

冯超 ;

郝志杰 .

中国专利 :CN110942992B ,2020-03-31

[5]

30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件 [P].

令海阳 ;

刘龙平 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN101719513B ,2010-06-02

[6]

垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108155239A ,2018-06-12

[7]

垂直双扩散MOS管及其制造方法 [P].

邵丽 ;

克里丝 .

中国专利 :CN102184958A ,2011-09-14

[8]

射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法 [P].

邱海亮 ;

闻正锋 ;

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298893B ,2017-01-04

[9]

一种横向双扩散MOS器件 [P].

任敏 ;

林育赐 ;

谢驰 ;

李佳驹 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107564965A ,2018-01-09

[10]

平面型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108010848A ,2018-05-08

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