共 7 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
侧向双扩散MOS器件
被引：0
申请号：
CN202210114087.X
申请日：
2022-01-30
公开(公告)号：
CN114927571A
公开(公告)日：
2022-08-19
发明(设计)人：
林中
黄金彪
王新涛
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-605/606室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2348
H01L21336
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
施婷婷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220130 |
| 2023-01-20 | 著录事项变更 | 著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人 变更前:伏达半导体（合肥）有限公司 变更后:伏达半导体（合肥）股份有限公司 变更事项:地址 变更前:230000 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1-605/606室 变更后:230000 安徽省合肥市高新区望江西路900号中安创谷科技园B4栋5层01室 |
| 2022-08-19 | 公开 | 公开 |