NMOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510215783.X

申请日：

2015-04-29

公开(公告)号：

CN104851916A

公开(公告)日：

2015-08-19

发明(设计)人：

石晶钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	公开	公开
2015-09-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101625687290 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201510215783X 申请日:20150429
2018-07-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150819

共 50 条

[1]

双扩散漏NMOS器件及制造方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN107093625B ,2017-08-25

[2]

NLDMOS器件及工艺方法 [P].

刘冬华 ;

段文婷 ;

钱文生 ;

胡君 ;

石晶 .

中国专利 :CN105448995A ,2016-03-30

[3]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN105140289A ,2015-12-09

[4]

NMOS开关器件的制作方法 [P].

石晶 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN103035530A ,2013-04-10

[5]

MOS器件及工艺方法 [P].

袁苑 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN105679829A ,2016-06-15

[6]

NLDMOS器件及工艺方法 [P].

刘冬华 .

中国专利 :CN109166920B ,2019-01-08

[7]

NLDMOS器件及工艺方法 [P].

刘冬华 .

中国专利 :CN111261718A ,2020-06-09

[8]

SONOS器件的工艺方法 [P].

熊伟 ;

张可钢 ;

陈华伦 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104332443A ,2015-02-04

[9]

功率MOS器件及工艺方法 [P].

曹功勋 ;

仵嘉 ;

张敏 .

中国专利 :CN113451404A ,2021-09-28

[10]

功率MOS器件及工艺方法 [P].

曹功勋 ;

仵嘉 ;

张敏 .

中国专利 :CN113451404B ,2025-04-04

← 1 2 3 4 5 →