功率MOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010213223.1

申请日：

2020-03-24

公开(公告)号：

CN113451404A

公开(公告)日：

2021-09-28

发明(设计)人：

曹功勋仵嘉张敏

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区金沪路1270号1幢218室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	公开	公开
2021-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200324

共 50 条

[1]

功率MOS器件及工艺方法 [P].

曹功勋 ;

仵嘉 ;

张敏 .

中国专利 :CN113451404B ,2025-04-04

[2]

MOS器件及工艺方法 [P].

袁苑 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN105679829A ,2016-06-15

[3]

功率MOS器件及功率MOS器件制造方法 [P].

令海阳 .

中国专利 :CN102214696B ,2011-10-12

[4]

功率MOS器件及功率MOS器件制造方法 [P].

令海阳 ;

吴小利 .

中国专利 :CN102214695A ,2011-10-12

[5]

屏蔽栅沟槽型功率MOS器件的工艺方法 [P].

周颖 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN106298949A ,2017-01-04

[6]

沟槽型双层栅功率MOS器件的接触孔工艺方法 [P].

李陆萍 ;

张博 .

中国专利 :CN104103576A ,2014-10-15

[7]

分离栅功率MOS器件及其制造方法 [P].

王加坤 ;

吴兵 .

中国专利 :CN114156183A ,2022-03-08

[8]

平面型功率MOS器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

丁磊 .

中国专利 :CN103779415B ,2014-05-07

[9]

MOS功率器件及其制备方法 [P].

秦博 ;

吴海平 .

中国专利 :CN114695530A ,2022-07-01

[10]

NMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104851916A ,2015-08-19

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