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NLDMOS器件及工艺方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010070128.0
申请日：
2020-01-21
公开(公告)号：
CN111261718A
公开(公告)日：
2020-06-09
发明(设计)人：
刘冬华
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2940
H01L21336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
焦健
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-07-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200121 |
| 2020-06-09 | 公开 | 公开 |