一种VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410090107.X

申请日：

2014-03-12

公开(公告)号：

CN104916686A

公开(公告)日：

2015-09-16

发明(设计)人：

李理马万里赵圣哲

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20150916
2015-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101629189619 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201410090107X 申请日:20140312
2015-09-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104779288A ,2015-07-15

[2]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097545A ,2015-11-25

[3]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097543A ,2015-11-25

[4]

一种平面型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105226081A ,2016-01-06

[5]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN106298925A ,2017-01-04

[6]

一种平面VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104217950A ,2014-12-17

[7]

VDMOS器件制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104282572A ,2015-01-14

[8]

VDMOS器件及其制造方法 [P].

崔金洪 .

中国专利 :CN104253045A ,2014-12-31

[9]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

郑莹 ;

吴会利 ;

马洪江 .

中国专利 :CN104392932A ,2015-03-04

[10]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

任敏 ;

蔡果 ;

杨珏琳 ;

牛博 ;

郭绪阳 ;

曹晓峰 ;

李泽宏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN104992976B ,2015-10-21

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