一种VDMOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510303431.X

申请日：

2015-06-04

公开(公告)号：

CN106298925A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

马万里闻正锋赵文魁

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700785789 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201510303431X 申请日:20150604

共 50 条

[1]

VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

任春红 .

中国专利 :CN106298928B ,2017-01-04

[2]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105206527A ,2015-12-30

[3]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109103110B ,2018-12-28

[4]

一种平面型VDMOS器件及其制作方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105336612A ,2016-02-17

[5]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105225952A ,2016-01-06

[6]

一种VDMOS及其制作方法 [P].

马万里 ;

刘竹 ;

闻正锋 .

中国专利 :CN104795440B ,2015-07-22

[7]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107170682A ,2017-09-15

[8]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

赵喜高 .

中国专利 :CN107845580A ,2018-03-27

[9]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 .

中国专利 :CN105990152B ,2016-10-05

[10]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

赵文魁 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298534A ,2017-01-04

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