一种VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410014444.0

申请日：

2014-01-13

公开(公告)号：

CN104779288A

公开(公告)日：

2015-07-15

发明(设计)人：

马万里

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

黄灿;宋林清

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20220725 变更事项:专利权人变更前权利人:北大方正集团有限公司变更后权利人:深圳方正微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园变更事项:专利权人变更前权利人:深圳方正微电子有限公司
2019-05-31	授权	授权
2015-07-15	公开	公开
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620054921 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014100144440 申请日:20140113

共 50 条

[1]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN104916686A ,2015-09-16

[2]

VDMOS器件制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104282572A ,2015-01-14

[3]

一种VDMOS器件及其制造方法 [P].

郑莹 ;

吴会利 ;

马洪江 .

中国专利 :CN104392932A ,2015-03-04

[4]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097545A ,2015-11-25

[5]

一种平面型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105226081A ,2016-01-06

[6]

一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105097543A ,2015-11-25

[7]

沟槽型VDMOS器件及其制造方法 [P].

李明 ;

刘国梁 ;

赵圣哲 ;

李理 .

中国专利 :CN111192829B ,2020-05-22

[8]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105225952A ,2016-01-06

[9]

一种VDMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

闻正锋 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105206527A ,2015-12-30

[10]

一种平面VDMOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104217950A ,2014-12-17

← 1 2 3 4 5 →