PMOS器件及其集成工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611017984.X

申请日：

2016-11-17

公开(公告)号：

CN106298657A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

李娟娟

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L27088

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700801839 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:201611017984X 申请日:20161117
2019-06-28	授权	授权
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

NMOS器件及其集成工艺方法 [P].

李娟娟 .

中国专利 :CN106328590A ,2017-01-11

[2]

PMOS器件结构及其制备方法 [P].

杜凯翔 ;

董信国 .

中国专利 :CN120224735A ,2025-06-27

[3]

PMOS器件应力层结构及其形成方法 [P].

罗康 ;

汪军 .

中国专利 :CN110416298A ,2019-11-05

[4]

改善SiGe CMOS工艺中PMOS器件的电学性能的方法 [P].

周建华 .

中国专利 :CN104392960B ,2015-03-04

[5]

CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法 [P].

陈广龙 ;

谭颖 .

中国专利 :CN103632942A ,2014-03-12

[6]

高压集成器件及其制备方法 [P].

刘森 ;

史林森 ;

向可强 ;

刘海彬 ;

刘筱伟 .

中国专利 :CN112018114B ,2020-12-01

[7]

集成半导体器件及其制备方法 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120529631A ,2025-08-22

[8]

集成半导体器件及其制备方法 [P].

崔卫刚 .

中国专利 :CN120529631B ,2025-10-10

[9]

SOI BCD工艺集成SGT器件的制造方法 [P].

陈晨 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN119208257A ,2024-12-27

[10]

一种高压PMOS器件及其制作工艺流程 [P].

吉扬永 ;

连延杰 .

中国专利 :CN104538445A ,2015-04-22

← 1 2 3 4 5 →