学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

集成半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511007381.0
申请日：
2025-07-22
公开(公告)号：
CN120529631B
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
崔卫刚
申请人：
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址：
311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号（滨富合作区）
IPC主分类号：
H10D84/01
IPC分类号：
H10D84/80
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
黄盼
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
浙江省 杭州市
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-09 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250722
2025-10-10 授权 授权
2025-08-22 公开 公开
共 50 条
[1]
集成半导体器件及其制备方法 [P]. 
崔卫刚 .
中国专利 :CN120529631A ,2025-08-22
[2]
集成半导体器件及其制备方法 [P]. 
郎晨智 ;
陈天 ;
肖莉 ;
王黎 ;
陈华伦 .
中国专利 :CN119133083A ,2024-12-13
[3]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张旭 ;
储郁冬 ;
陆琦 ;
赵天楚 .
中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
周济 ;
储成全 ;
柏佩文 ;
蒲甜松 .
中国专利 :CN118712132A ,2024-09-27
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
周济 ;
储成全 ;
柏佩文 ;
蒲甜松 .
中国专利 :CN118712132B ,2024-11-15
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
梁肖 ;
凌周轩 ;
刘彤晖 ;
韩国庆 ;
贾雪梅 .
中国专利 :CN120091578A ,2025-06-03
[7]
碳化硅基集成半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈德朋 ;
蒋正勇 .
中国专利 :CN119008677A ,2024-11-22
[8]
SiC半导体器件及其制备方法 [P]. 
陈小建 .
中国专利 :CN112599588A ,2021-04-02
[9]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28
12345