高压集成器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011114623.3

申请日：

2020-10-19

公开(公告)号：

CN112018114B

公开(公告)日：

2020-12-01

发明(设计)人：

刘森史林森向可强刘海彬刘筱伟

申请人：

申请人地址：

510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2906 H01L218238

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20201019
2021-01-15	授权	授权
2020-12-01	公开	公开

共 50 条

[1]

集成器件及其制备方法 [P].

朱宸綦 ;

龚逸品 ;

梅劲 ;

王江波 .

中国专利 :CN119208350A ,2024-12-27

[2]

集成器件及其制备方法 [P].

姬圣南 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

徐涵 ;

王哲力 ;

梁玉玉 .

中国专利 :CN118039645A ,2024-05-14

[3]

NLDMOS集成器件及其制备方法 [P].

曹进伟 ;

陈孟邦 ;

乔世成 ;

蔡荣怀 ;

黄国华 .

中国专利 :CN106876337B ,2017-06-20

[4]

集成器件及其制备方法 [P].

周代兵 ;

梁松 ;

赵玲娟 ;

王圩 .

中国专利 :CN114142339A ,2022-03-04

[5]

集成器件及其封装方法 [P].

王星月 ;

田文 .

中国专利 :CN119400784A ,2025-02-07

[6]

光电集成器件及其制备方法 [P].

薛磊 ;

尹晓雪 .

中国专利 :CN111430498A ,2020-07-17

[7]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120357265A ,2025-07-22

[8]

单片集成器件及其制备方法 [P].

刘志强 ;

付松 ;

康俊杰 ;

梁萌 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN120453849A ,2025-08-08

[9]

光电集成器件及其制备方法 [P].

薛磊 .

中国专利 :CN111430499A ,2020-07-17

[10]

半导体集成器件及其制造方法 [P].

张晗 ;

金锋 ;

杨新杰 ;

朱兆强 .

中国专利 :CN115497878B ,2025-07-08

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