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集成器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411057206.8
申请日
:
2024-08-02
公开(公告)号
:
CN119208350A
公开(公告)日
:
2024-12-27
发明(设计)人
:
朱宸綦
龚逸品
梅劲
王江波
申请人
:
京东方华灿光电(苏州)有限公司
申请人地址
:
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
IPC主分类号
:
H01L27/15
IPC分类号
:
H01L21/8252
代理机构
:
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
:
吕耀萍
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-27
公开
公开
2025-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/15申请日:20240802
共 50 条
[1]
一种柔性显示集成器件及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
任开琳
;
论文数:
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机构:
王浩宇
;
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机构:
张建华
;
冯雪葳
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0
机构:
上海大学
上海大学
冯雪葳
;
论文数:
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机构:
殷录桥
.
中国专利
:CN116314237B
,2025-10-31
[2]
集成器件及其制备方法
[P].
姬圣南
论文数:
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
姬圣南
;
叶念慈
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
徐涵
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0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
徐涵
;
王哲力
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0
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0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118039645A
,2024-05-14
[3]
一种发光探测同质集成器件及其制备方法
[P].
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机构:
孙晓娟
;
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机构:
吕顺鹏
;
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机构:
孙文超
;
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机构:
蒋科
;
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机构:
贲建伟
;
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机构:
石芝铭
;
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机构:
张山丽
.
中国专利
:CN118136717A
,2024-06-04
[4]
一种同质集成器件及其制备方法
[P].
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机构:
孙晓娟
;
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机构:
孙文超
;
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机构:
吕顺鹏
;
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机构:
黎大兵
;
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蒋科
;
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机构:
贲建伟
;
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机构:
张山丽
.
中国专利
:CN118136718A
,2024-06-04
[5]
集成器件及其封装方法
[P].
王星月
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
王星月
;
田文
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0
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
田文
.
中国专利
:CN119400784A
,2025-02-07
[6]
NLDMOS集成器件及其制备方法
[P].
曹进伟
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曹进伟
;
陈孟邦
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陈孟邦
;
乔世成
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乔世成
;
蔡荣怀
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0
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蔡荣怀
;
黄国华
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黄国华
.
中国专利
:CN106876337B
,2017-06-20
[7]
高压集成器件及其制备方法
[P].
刘森
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刘森
;
史林森
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0
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史林森
;
向可强
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向可强
;
刘海彬
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刘海彬
;
刘筱伟
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0
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0
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0
刘筱伟
.
中国专利
:CN112018114B
,2020-12-01
[8]
QLED与TFT集成器件及其制备方法
[P].
肖标
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0
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肖标
;
闫晓林
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0
闫晓林
.
中国专利
:CN105206641A
,2015-12-30
[9]
HEMT-LED集成器件及其制备方法
[P].
赵东升
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0
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
赵东升
;
杨婷
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
杨婷
;
姜竹林
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机构:
京东方华灿光电(浙江)有限公司
京东方华灿光电(浙江)有限公司
姜竹林
.
中国专利
:CN120112028A
,2025-06-06
[10]
集成器件及其制备方法
[P].
周代兵
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周代兵
;
梁松
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梁松
;
赵玲娟
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赵玲娟
;
王圩
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王圩
.
中国专利
:CN114142339A
,2022-03-04
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