集成器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411057206.8
申请日
2024-08-02
公开(公告)号
CN119208350A
公开(公告)日
2024-12-27
发明(设计)人
朱宸綦 龚逸品 梅劲 王江波
申请人
京东方华灿光电(苏州)有限公司
申请人地址
215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号
IPC主分类号
H01L27/15
IPC分类号
H01L21/8252
代理机构
北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138
代理人
吕耀萍
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种柔性显示集成器件及其制备方法 [P]. 
任开琳 ;
王浩宇 ;
张建华 ;
冯雪葳 ;
殷录桥 .
中国专利 :CN116314237B ,2025-10-31
[2]
集成器件及其制备方法 [P]. 
姬圣南 ;
叶念慈 ;
刘成 ;
徐涵 ;
王哲力 ;
梁玉玉 .
中国专利 :CN118039645A ,2024-05-14
[3]
一种发光探测同质集成器件及其制备方法 [P]. 
孙晓娟 ;
吕顺鹏 ;
孙文超 ;
蒋科 ;
贲建伟 ;
石芝铭 ;
张山丽 .
中国专利 :CN118136717A ,2024-06-04
[4]
一种同质集成器件及其制备方法 [P]. 
孙晓娟 ;
孙文超 ;
吕顺鹏 ;
黎大兵 ;
蒋科 ;
贲建伟 ;
张山丽 .
中国专利 :CN118136718A ,2024-06-04
[5]
集成器件及其封装方法 [P]. 
王星月 ;
田文 .
中国专利 :CN119400784A ,2025-02-07
[6]
NLDMOS集成器件及其制备方法 [P]. 
曹进伟 ;
陈孟邦 ;
乔世成 ;
蔡荣怀 ;
黄国华 .
中国专利 :CN106876337B ,2017-06-20
[7]
高压集成器件及其制备方法 [P]. 
刘森 ;
史林森 ;
向可强 ;
刘海彬 ;
刘筱伟 .
中国专利 :CN112018114B ,2020-12-01
[8]
QLED与TFT集成器件及其制备方法 [P]. 
肖标 ;
闫晓林 .
中国专利 :CN105206641A ,2015-12-30
[9]
HEMT-LED集成器件及其制备方法 [P]. 
赵东升 ;
杨婷 ;
姜竹林 .
中国专利 :CN120112028A ,2025-06-06
[10]
集成器件及其制备方法 [P]. 
周代兵 ;
梁松 ;
赵玲娟 ;
王圩 .
中国专利 :CN114142339A ,2022-03-04