一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710533294.8

申请日：

2017-07-03

公开(公告)号：

CN107285760B

公开(公告)日：

2017-10-24

发明(设计)人：

成鹏飞宋江

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市金花南路19号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35622 C04B3564

代理机构：

西安弘理专利事务所 61214

代理人：

杨璐

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	授权	授权
2017-10-24	公开	公开
2017-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20170703
2022-06-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20170703 授权公告日:20200619 终止日期:20210703

共 50 条

[1]

一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法 [P].

李玲霞 ;

卢特 ;

张宁 ;

王文波 .

中国专利 :CN108178628A ,2018-06-19

[2]

一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料及其制备方法 [P].

成鹏飞 ;

党子妍 ;

王丹 .

中国专利 :CN115321976A ,2022-11-11

[3]

一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法 [P].

曹明贺 ;

王志建 ;

刘韩星 ;

郝华 ;

尧中华 ;

余志勇 .

中国专利 :CN103755339B ,2014-04-30

[4]

一种低损耗低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

邵辉 ;

陶晨 ;

崔德威 ;

王锋伟 ;

简刚 .

中国专利 :CN112537947B ,2021-03-23

[5]

一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

刘韩星 ;

李广耀 ;

郝华 ;

曹明贺 ;

陈卓 .

中国专利 :CN105777111A ,2016-07-20

[6]

制备巨介电常数低损耗陶瓷电容器的方法 [P].

郑分刚 ;

刘凯 ;

孙亚龙 .

中国专利 :CN107759215A ,2018-03-06

[7]

一种高绝缘特性、巨介电常数和低损耗的BaTiO<sub>3</sub>基陶瓷材料 [P].

刘丞 .

中国专利 :CN120965310A ,2025-11-18

[8]

一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

陈思亮 ;

于仕辉 ;

郑浩然 .

中国专利 :CN107640969A ,2018-01-30

[9]

一种高介电常数低损耗高频介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

张帅 ;

吕笑松 ;

孙正 ;

张宁 .

中国专利 :CN105801103A ,2016-07-27

[10]

低介电常数低损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法 [P].

齐世顺 ;

程华容 ;

宋蓓蓓 ;

杨魁勇 ;

吕鹏 ;

孙淑英 .

中国专利 :CN108218406A ,2018-06-29

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