一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210304287.1

申请日：

2022-03-25

公开(公告)号：

CN115321976A

公开(公告)日：

2022-11-11

发明(设计)人：

成鹏飞党子妍王丹

申请人：

申请人地址：

710048 陕西省西安市临潼区陕鼓大道

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35622 C04B3564

代理机构：

北京中索知识产权代理有限公司 11640

代理人：

翁松青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20220325
2022-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

刘韩星 ;

李广耀 ;

郝华 ;

曹明贺 ;

陈卓 .

中国专利 :CN105777111A ,2016-07-20

[2]

一种巨介电低损耗CCTO基陶瓷材料及其制备方法 [P].

齐世顺 ;

程华容 ;

杨魁勇 ;

宋蓓蓓 ;

孙淑英 .

中国专利 :CN106673642A ,2017-05-17

[3]

一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷及其制备方法 [P].

成鹏飞 ;

王丹 .

中国专利 :CN114436643A ,2022-05-06

[4]

一种巨介电常数低介电损耗SrTiO3陶瓷材料的制备方法 [P].

曹明贺 ;

王志建 ;

刘韩星 ;

郝华 ;

尧中华 ;

余志勇 .

中国专利 :CN103755339B ,2014-04-30

[5]

一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法 [P].

慕春红 ;

宋远强 ;

邓凯 ;

冉奥 .

中国专利 :CN107954712B ,2018-04-24

[6]

一种巨介电常数、低介电损耗钛酸锶陶瓷的制备方法 [P].

刘旭东 ;

卢佳慧 ;

王磊 ;

孙旭东 ;

王兴安 ;

那兆霖 ;

惠宇 .

中国专利 :CN114988868A ,2022-09-02

[7]

一种低损耗巨介电常数陶瓷材料的制备方法 [P].

成鹏飞 ;

宋江 .

中国专利 :CN107285760B ,2017-10-24

[8]

一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法 [P].

李玲霞 ;

卢特 ;

张宁 ;

王文波 .

中国专利 :CN108178628A ,2018-06-19

[9]

高介电常数AG特性介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

吴金剑 ;

林志盛 ;

黄祥贤 ;

宋运雄 ;

陈永虹 ;

谢显斌 ;

许金飘 .

中国专利 :CN105060877B ,2015-11-18

[10]

一种低损耗低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

邵辉 ;

陶晨 ;

崔德威 ;

王锋伟 ;

简刚 .

中国专利 :CN112537947B ,2021-03-23

← 1 2 3 4 5 →