一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711245607.6

申请日：

2017-12-01

公开(公告)号：

CN107954712B

公开(公告)日：

2018-04-24

发明(设计)人：

慕春红宋远强邓凯冉奥

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C04B35462

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229

代理人：

李蕊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-29	授权	授权
2018-04-24	公开	公开
2018-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/462 申请日:20171201

共 50 条

[1]

一种巨介电低损耗CCTO基陶瓷材料及其制备方法 [P].

齐世顺 ;

程华容 ;

杨魁勇 ;

宋蓓蓓 ;

孙淑英 .

中国专利 :CN106673642A ,2017-05-17

[2]

一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料及其制备方法 [P].

成鹏飞 ;

党子妍 ;

王丹 .

中国专利 :CN115321976A ,2022-11-11

[3]

一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法 [P].

曾和平 ;

黄延伟 .

中国专利 :CN109734437A ,2019-05-10

[4]

一种中介低损耗LTCC微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

肖明 .

中国专利 :CN112125668B ,2020-12-25

[5]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[6]

高频低损耗铁电移相器复相陶瓷材料及其制备 [P].

周洪庆 ;

刘敏 ;

杨春霞 ;

王宇光 .

中国专利 :CN101172854B ,2008-05-07

[7]

一种高介低损耗压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN118324526B ,2024-08-06

[8]

一种高介低损耗压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN118324526A ,2024-07-12

[9]

一种双金属元素掺杂CCTO改性介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈文杰 ;

陈雅可 ;

王东旭 ;

潘淼 ;

潘晓阳 ;

赵小静 ;

柳宇彬 ;

曾宪枢 ;

徐文涛 ;

王锋 .

中国专利 :CN120117890B ,2025-11-11

[10]

一种双金属元素掺杂CCTO改性介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

陈文杰 ;

陈雅可 ;

王东旭 ;

潘淼 ;

潘晓阳 ;

赵小静 ;

柳宇彬 ;

曾宪枢 ;

徐文涛 ;

王锋 .

中国专利 :CN120117890A ,2025-06-10

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