半导体制造装置的气体分流供给装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810214348.9

申请日：

2013-04-01

公开(公告)号：

CN108445922A

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

西野功二土肥亮介平田薰杉田胜幸池田信一

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

G05D706

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

朱美红;刘林华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G05D 7/06 申请日:20130401
2018-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体制造装置的气体分流供给装置 [P].

西野功二 ;

土肥亮介 ;

平田薰 ;

杉田胜幸 ;

池田信一 .

中国专利 :CN104246642A ,2014-12-24

[2]

半导体制造装置的气体分流供给装置 [P].

西野功二 ;

土肥亮介 ;

池田信一 ;

平田薰 ;

森崎和之 .

中国专利 :CN104081304A ,2014-10-01

[3]

半导体制造装置用的气体供给装置 [P].

冈部庸之 .

中国专利 :CN102235573A ,2011-11-09

[4]

半导体制造装置的原料气体供给装置 [P].

永濑正明 ;

日高敦志 ;

平田薰 ;

土肥亮介 ;

西野功二 ;

池田信一 .

中国专利 :CN103649367A ,2014-03-19

[5]

气体供给装置、半导体制造装置和气体供给装置用部件 [P].

守谷修司 .

中国专利 :CN101409213A ,2009-04-15

[6]

半导体制造装置的气体供给系统 [P].

守谷修司 ;

中尾贤 .

中国专利 :CN101284199A ,2008-10-15

[7]

气化器和向半导体制造装置供给材料气体的方法 [P].

佐佐木章 .

日本专利 :CN120882899A ,2025-10-31

[8]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

山本贵章 ;

野元拓也 .

日本专利 :CN115148618B ,2025-12-26

[9]

半导体制造装置及半导体装置的制造方法 [P].

山本贵章 ;

野元拓也 .

中国专利 :CN115148618A ,2022-10-04

[10]

气体供给装置、其控制方法、装载站、半导体制造装置 [P].

谷山育志 ;

森鼻俊光 .

中国专利 :CN108807225A ,2018-11-13

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