用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811306717.3

申请日：

2018-11-05

公开(公告)号：

CN109860178A

公开(公告)日：

2019-06-07

发明(设计)人：

B.何 M.L.哈滕多夫 C.P.奥思

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L21762 H01L21768 H01L23522 H01L23528 H01L23532 H01L23535 H01L2516 H01L2702 H01L27092 H01L29423 H01L2951 H01L2966 H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

秦宝龙;闫小龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20181105
2019-06-07	公开	公开

共 50 条

[1]

用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构 [P].

B·何 ;

C-K·黄 ;

E·汤普森 ;

J·卢斯 ;

M·L·哈滕多夫 ;

C·P·奥思 .

美国专利 :CN120730828A ,2025-09-30

[2]

用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构 [P].

B.何 ;

C-K.黄 ;

E.汤普森 ;

J.卢斯 ;

M.L.哈滕多夫 ;

C.P.奥思 .

中国专利 :CN109860189A ,2019-06-07

[3]

用于先进的集成电路结构制造的鳍末端插塞结构 [P].

B.何 ;

C-K.黄 ;

E.汤普森 ;

J.卢斯 ;

M.L.哈滕多夫 ;

C.P.奥思 .

美国专利 :CN109860189B ,2025-08-22

[4]

用于先进的集成电路结构制造的用于互连线的插塞 [P].

A.W.杨 ;

I.金 ;

A.坎达斯 ;

M.L.哈滕多夫 ;

C.P.奥思 .

中国专利 :CN109860151A ,2019-06-07

[5]

用于先进的集成电路结构制造的沟槽插塞硬掩模 [P].

A.圣阿穆尔 ;

M.L.哈滕多夫 ;

C.P.奥思 .

中国专利 :CN109860296A ,2019-06-07

[6]

用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离 [P].

M.L.哈滕多夫 ;

C.沃德 ;

H.M.迈尔 ;

T.加尼 ;

C.P.奥思 .

中国专利 :CN109860180A ,2019-06-07

[7]

用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P].

B·何 ;

S·亚罗维亚尔 ;

J·S·莱布 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

美国专利 :CN109860176B ,2025-05-27

[8]

用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P].

B·何 ;

S·亚罗维亚尔 ;

J·S·莱布 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

中国专利 :CN109860176A ,2019-06-07

[9]

用于先进的集成电路结构制造的差异化电压阈值金属栅极结构 [P].

J.S.莱布 ;

J.胡 ;

A.达斯古普塔 ;

M.L.哈滕多夫 ;

C.P.奥思 .

中国专利 :CN109860181A ,2019-06-07

[10]

用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P].

J·S·莱布 ;

J·胡 ;

A·达斯古普塔 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

美国专利 :CN109860185B ,2025-08-22

← 1 2 3 4 5 →