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用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811297672.8
申请日：
2018-10-31
公开(公告)号：
CN109860185B
公开(公告)日：
2025-08-22
发明(设计)人：
J·S·莱布 J·胡 A·达斯古普塔 M·L·哈藤多夫 C·P·奥特
申请人：
英特尔公司
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H10D84/85
IPC分类号：
H10D84/03
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
林金朝;王英
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-22 授权 授权
共 50 条
[1]
用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
J·胡 ;
A·达斯古普塔 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860185A ,2019-06-07
[2]
用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P]. 
B·何 ;
S·亚罗维亚尔 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860176B ,2025-05-27
[3]
用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P]. 
B·何 ;
S·亚罗维亚尔 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860176A ,2019-06-07
[4]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860187B ,2025-08-26
[5]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860187A ,2019-06-07
[6]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN119384040A ,2025-01-28
[7]
用于高级集成电路结构制造的沟槽接触结构 [P]. 
S·M·乔希 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 .
中国专利 :CN109860177A ,2019-06-07
[8]
用于高级集成电路结构制造的双金属硅化物结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
S·慕克吉 ;
V·巴格瓦特 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860174A ,2019-06-07
[9]
用于先进的集成电路结构制造的差异化电压阈值金属栅极结构 [P]. 
J.S.莱布 ;
J.胡 ;
A.达斯古普塔 ;
M.L.哈滕多夫 ;
C.P.奥思 .
中国专利 :CN109860181A ,2019-06-07
[10]
具有选择性生长的金属栅极结构的全环栅集成电路结构的制造 [P]. 
许国伟 ;
C-C·林 ;
褚涛 ;
张侃 ;
L·胡 ;
张扬 ;
R·赵 ;
洪挺翔 ;
张凤 ;
C·W·杨 ;
C-H·林 ;
O·戈隆茨卡 ;
A·S·默西 .
美国专利 :CN121240522A ,2025-12-30
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