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用于高级集成电路结构制造的沟槽接触结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811298443.8
申请日：
2018-10-31
公开(公告)号：
CN109860177A
公开(公告)日：
2019-06-07
发明(设计)人：
S·M·乔希 J·S·莱布 M·L·哈藤多夫
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H01L27088
IPC分类号：
H01L2906 H01L2941 H01L21336 H01L2978
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
林金朝;王英
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-06-07 公开 公开
2020-12-18 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20181031
共 50 条
[1]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860187B ,2025-08-26
[2]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860187A ,2019-06-07
[3]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN119384040A ,2025-01-28
[4]
用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P]. 
B·何 ;
S·亚罗维亚尔 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860176B ,2025-05-27
[5]
用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P]. 
B·何 ;
S·亚罗维亚尔 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860176A ,2019-06-07
[6]
用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
J·胡 ;
A·达斯古普塔 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860185B ,2025-08-22
[7]
用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
J·胡 ;
A·达斯古普塔 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860185A ,2019-06-07
[8]
具有沟槽接触飞越（flyover）结构的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒 ;
T·加尼 ;
C·H·华莱士 ;
M·K·哈兰 ;
S·耶门尼西奥卢 ;
C·D·穆纳辛格 .
美国专利 :CN117642862A ,2024-03-01
[9]
用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离 [P]. 
M.L.哈滕多夫 ;
C.沃德 ;
H.M.迈尔 ;
T.加尼 ;
C.P.奥思 .
中国专利 :CN109860180A ,2019-06-07
[10]
用于高级集成电路结构制造的双金属硅化物结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
S·慕克吉 ;
V·巴格瓦特 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860174A ,2019-06-07
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