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用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411442727.5
申请日：
2018-10-31
公开(公告)号：
CN119384040A
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
A·W·杨 T·加尼 A·马德哈范 M·L·哈藤多夫 C·P·奥特
申请人：
英特尔公司
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H10D84/85
IPC分类号：
H10D84/03
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
邬少俊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/85申请日:20181031
2025-01-28 公开 公开
共 50 条
[1]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860187A ,2019-06-07
[2]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860187B ,2025-08-26
[3]
用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P]. 
B·何 ;
S·亚罗维亚尔 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860176B ,2025-05-27
[4]
用于高级集成电路结构制造的替换栅极结构 [P]. 
B·何 ;
S·亚罗维亚尔 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860176A ,2019-06-07
[5]
用于高级集成电路结构制造的沟槽接触结构 [P]. 
S·M·乔希 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 .
中国专利 :CN109860177A ,2019-06-07
[6]
用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
J·胡 ;
A·达斯古普塔 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860185B ,2025-08-22
[7]
用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P]. 
J·S·莱布 ;
J·胡 ;
A·达斯古普塔 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860185A ,2019-06-07
[8]
用于高级集成电路结构制造的连续栅极和鳍状物间隔体 [P]. 
H·M·迈尔 ;
A·图拉 ;
B·何 ;
S·乔希 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860175A ,2019-06-07
[9]
用于高级集成电路结构制造的连续栅极和鳍状物间隔体 [P]. 
H·M·迈尔 ;
A·图拉 ;
B·何 ;
S·乔希 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860175B ,2025-08-26
[10]
用于先进集成电路结构制造的具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触结构 [P]. 
C·H·华莱士 ;
M·K·哈兰 ;
A·C-H·韦 .
中国专利 :CN114639724A ,2022-06-17
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