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用于先进集成电路结构制造的具有锥变栅极或沟槽接触部的有源栅极上接触结构

被引：0
申请号：
CN202111357798.1
申请日：
2021-11-16
公开(公告)号：
CN114639724A
公开(公告)日：
2022-06-17
发明(设计)人：
C·H·华莱士 M·K·哈兰 A·C-H·韦
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H01L29423
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
林金朝
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-17 公开 公开
共 50 条
[1]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN109860187B ,2025-08-26
[2]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
美国专利 :CN119384040A ,2025-01-28
[3]
用于高级集成电路结构制造的有源栅极上方接触结构 [P]. 
A·W·杨 ;
T·加尼 ;
A·马德哈范 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860187A ,2019-06-07
[4]
具有背面栅极切口或者沟槽接触部切口的集成电路结构 [P]. 
L·P·古勒尔 ;
C·H·华莱士 ;
T·加尼 .
中国专利 :CN115513156A ,2022-12-23
[5]
用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构 [P]. 
B.何 ;
M.L.哈滕多夫 ;
C.P.奥思 .
中国专利 :CN109860178A ,2019-06-07
[6]
用于高级集成电路结构制造的沟槽接触结构 [P]. 
S·M·乔希 ;
J·S·莱布 ;
M·L·哈藤多夫 .
中国专利 :CN109860177A ,2019-06-07
[7]
具有自对准均匀网格金属栅极和用于槽栅极的沟槽接触切割的集成电路结构 [P]. 
D·S·拉弗里克 ;
许劭铭 ;
S·纳斯卡 ;
A·S·莫蒂 ;
N·梅塔 ;
L·P·古勒 .
美国专利 :CN118676181A ,2024-09-20
[8]
具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构 [P]. 
A·达斯古普塔 ;
T·奥布莱恩 ;
S·阿查里亚 ;
L·P·古勒 ;
K·加内桑 ;
A·V·戴维斯 .
美国专利 :CN120727703A ,2025-09-30
[9]
具有栅极接触的集成电路结构及其形成方法 [P]. 
臧辉 ;
J·S·瓦特 .
中国专利 :CN107611088A ,2018-01-19
[10]
用于先进集成电路结构制造的沟槽隔离 [P]. 
M.L.哈滕多夫 ;
C.沃德 ;
H.M.迈尔 ;
T.加尼 ;
C.P.奥思 .
中国专利 :CN109860180A ,2019-06-07
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