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用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811297672.8
申请日：
2018-10-31
公开(公告)号：
CN109860185B
公开(公告)日：
2025-08-22
发明(设计)人：
J·S·莱布 J·胡 A·达斯古普塔 M·L·哈藤多夫 C·P·奥特
申请人：
英特尔公司
申请人地址：
美国加利福尼亚
IPC主分类号：
H10D84/85
IPC分类号：
H10D84/03
代理机构：
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人：
林金朝;王英
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-22 授权 授权
共 50 条
[21]
用于形成双金属栅极结构的方法 [P]. 
G·V·卡尔维 ;
C·卡帕索 ;
斯里坎斯·B.·萨马弗达姆 ;
詹姆斯·K.·谢弗 ;
W·J·泰勒 .
中国专利 :CN101689508B ,2010-03-31
[22]
用于形成双金属栅极结构的方法 [P]. 
G·V·卡尔维 ;
C·卡帕索 ;
斯里坎斯·B.·萨马弗达姆 ;
詹姆斯·K.·谢弗 ;
W·J·泰勒 .
中国专利 :CN101689509A ,2010-03-31
[23]
集成电路结构及其制造方法 [P]. 
王屏薇 ;
李谷桓 ;
陈瑞麟 .
中国专利 :CN119028978A ,2024-11-26
[24]
集成电路结构及其制造方法 [P]. 
陈瑞麟 ;
张峰铭 ;
王屏薇 ;
吴于贝 .
中国专利 :CN119031693A ,2024-11-26
[25]
集成电路结构 [P]. 
袁锋 ;
李宗霖 ;
陈宏铭 ;
张长昀 .
中国专利 :CN102074572B ,2011-05-25
[26]
集成电路结构 [P]. 
李宗霖 ;
叶致锴 ;
张长昀 ;
袁锋 .
中国专利 :CN102088036A ,2011-06-08
[27]
用于高级集成电路结构制造的蚀刻停止层形貌 [P]. 
A·W·杨 ;
R·布雷恩 ;
M·L·哈藤多夫 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860101A ,2019-06-07
[28]
用于高级集成电路结构制造的间距划分互连 [P]. 
A·W·杨 ;
A·马德哈范 ;
C·P·奥特 .
中国专利 :CN109860188A ,2019-06-07
[29]
具有附加式金属栅极和具有偶极层的栅极电介质的全环绕栅极集成电路结构的制造 [P]. 
D·S·拉弗里克 ;
D·M·克鲁姆 ;
O·萨达特 ;
O·戈隆兹卡 ;
T·加尼 .
中国专利 :CN114256238A ,2022-03-29
[30]
具有共用金属栅极并且具有带有偶极子层的栅极电介质的环绕栅集成电路结构的制造 [P]. 
D·S·拉夫里克 ;
D·M·克鲁姆 ;
O·戈隆茨卡 ;
T·加尼 .
中国专利 :CN114256236A ,2022-03-29
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