用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811297672.8

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN109860185B

公开(公告)日：

2025-08-22

发明(设计)人：

J·S·莱布 J·胡 A·达斯古普塔 M·L·哈藤多夫 C·P·奥特

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

林金朝;王英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	授权	授权

共 50 条

[41]

集成电路结构和形成集成电路结构的方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN111106059B ,2020-05-05

[42]

制造具有低电阻金属栅极结构的集成电路的方法 [P].

赵烈 ;

林萱 ;

阿鲁纳恰拉姆·娲丽 .

中国专利 :CN103854990A ,2014-06-11

[43]

集成电路结构及其制造方法 [P].

陈靖怡 ;

林圣轩 ;

卢炜业 ;

陈泓旭 ;

张志维 .

中国专利 :CN112309959B ,2025-10-21

[44]

集成电路和制造集成电路的方法 [P].

M·H·菲勒梅耶 ;

A·梅瑟 ;

T·施勒塞尔 ;

F·希尔勒 ;

M·珀尔齐尔 .

中国专利 :CN104518010B ,2015-04-15

[45]

集成电路结构及其制造方法 [P].

陈靖怡 ;

林圣轩 ;

卢炜业 ;

陈泓旭 ;

张志维 .

中国专利 :CN112309959A ,2021-02-02

[46]

集成电路结构及其制造方法 [P].

赵永清 ;

蒋伟韩 ;

钟鹏元 ;

康金玮 ;

林政仁 .

中国专利 :CN115497915A ,2022-12-20

[47]

集成电路结构及其制造方法 [P].

高琬贻 ;

柯忠祁 .

中国专利 :CN111211089A ,2020-05-29

[48]

集成电路器件以及用于制造集成电路器件的方法 [P].

Z·王 .

中国专利 :CN104798199A ,2015-07-22

[49]

集成电路结构 [P].

陈宪伟 .

中国专利 :CN101425500B ,2009-05-06

[50]

集成电路结构 [P].

卓秀英 .

中国专利 :CN101752343A ,2010-06-23

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