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一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910779092.0
申请日：
2019-08-22
公开(公告)号：
CN110518117A
公开(公告)日：
2019-11-29
发明(设计)人：
熊伟 张文广 邓磊敏 刘敬伟 吴昊 段军
申请人：
申请人地址：
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
IPC主分类号：
H01L4500
IPC分类号：
代理机构：
华中科技大学专利中心 42201
代理人：
许恒恒;李智
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-11-29 公开 公开
2019-12-24 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190822
2021-06-11 授权 授权
共 50 条
[1]
一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
孙堂友 ;
谭振强 ;
李建华 ;
李海鸥 ;
陈赞辉 ;
邓兴 ;
张法碧 .
中国专利 :CN119744114A ,2025-04-01
[2]
一种二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
王栋 ;
裴琪 ;
王天汉 ;
陈宝仪 ;
郭容男 ;
张倩 ;
夏月庆 ;
肖亚涛 ;
袁志华 .
中国专利 :CN118102859A ,2024-05-28
[3]
一种基于二维材料CrPS<sub>4</sub>的异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
徐国梁 ;
王宁宁 ;
石东红 ;
王馨莹 ;
黄海霖 ;
杨丽芸 ;
安兴涛 .
中国专利 :CN120265118A ,2025-07-04
[4]
一种基于二维材料异质结的忆阻器及制备方法 [P]. 
武兴会 ;
崔娜娜 ;
瞿峥嵘 ;
张秋慧 ;
王晓琳 ;
孙冰鸽 ;
张智毅 .
中国专利 :CN118541019A ,2024-08-23
[5]
一种基于二维材料异质结的忆阻器及其制作方法 [P]. 
胥清绪 ;
邢瑜 ;
周双 ;
董帅 ;
普勇 ;
王海云 .
中国专利 :CN115988954B ,2025-05-13
[6]
一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法 [P]. 
陈欣彤 ;
申达琦 ;
王宇 ;
童祎 ;
连晓娟 ;
万相 .
中国专利 :CN111900250A ,2020-11-06
[7]
一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
姜昱丞 ;
马兴龙 ;
高炬 .
中国专利 :CN113725358A ,2021-11-30
[8]
一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
秦世荣 ;
吴惠桢 .
中国专利 :CN115394858B ,2025-08-15
[9]
一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
秦世荣 ;
吴惠桢 .
中国专利 :CN115394858A ,2022-11-25
[10]
二维忆阻器及其制备方法 [P]. 
刘锴 ;
赵铂琛 .
中国专利 :CN119968108A ,2025-05-09
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