二维忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510127722.1

申请日：

2025-01-27

公开(公告)号：

CN119968108A

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

刘锴赵铂琛

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园1号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10N70/20

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

贺琳

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	公开	公开
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250127

共 50 条

[1]

基于二维聚合物薄膜的忆阻器及其制备方法 [P].

雷圣宾 ;

刘洁 ;

杨方旭 .

中国专利 :CN110317309B ,2019-10-11

[2]

一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法 [P].

熊伟 ;

张文广 ;

邓磊敏 ;

刘敬伟 ;

吴昊 ;

段军 .

中国专利 :CN110518117A ,2019-11-29

[3]

一种基于原位氧化的二维忆阻器及其制备方法 [P].

王天宇 ;

孟佳琳 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN113964268A ,2022-01-21

[4]

基于二维材料纳米孔的纳流体忆阻器及其制备方法 [P].

王路达 ;

宋瑞洋 ;

王鹏 ;

曾海鸥 ;

张盛萍 ;

吴宁然 ;

佟峻赫 .

中国专利 :CN120152608A ,2025-06-13

[5]

一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法 [P].

孙堂友 ;

谭振强 ;

李建华 ;

李海鸥 ;

陈赞辉 ;

邓兴 ;

张法碧 .

中国专利 :CN119744114A ,2025-04-01

[6]

一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法 [P].

秦世荣 ;

吴惠桢 .

中国专利 :CN115394858B ,2025-08-15

[7]

一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法 [P].

姜昱丞 ;

马兴龙 ;

高炬 .

中国专利 :CN113725358A ,2021-11-30

[8]

一种二维SnS/SnSe垂直异质结忆阻器及其制备方法 [P].

王栋 ;

裴琪 ;

王天汉 ;

陈宝仪 ;

郭容男 ;

张倩 ;

夏月庆 ;

肖亚涛 ;

袁志华 .

中国专利 :CN118102859A ,2024-05-28

[9]

一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法 [P].

田禾 ;

高彩芳 ;

刘晏铭 ;

吴凡 .

中国专利 :CN119654059B ,2025-08-05

[10]

一种浮栅型二维异质结忆阻器及其制备方法 [P].

秦世荣 ;

吴惠桢 .

中国专利 :CN115394858A ,2022-11-25

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