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一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510163403.6
申请日：
2025-02-14
公开(公告)号：
CN119654059B
公开(公告)日：
2025-08-05
发明(设计)人：
田禾 高彩芳 刘晏铭 吴凡
申请人：
清华大学
申请人地址：
100084 北京市海淀区清华园
IPC主分类号：
H10N70/00
IPC分类号：
B82Y40/00
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
霍向果
法律状态：
公开
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-18 公开 公开
2025-08-05 授权 授权
2025-04-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250214
共 50 条
[1]
一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法 [P]. 
田禾 ;
高彩芳 ;
刘晏铭 ;
吴凡 .
中国专利 :CN119654059A ,2025-03-18
[2]
二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料 [P]. 
陈念科 ;
马明钰 ;
王丹 ;
黄宇婷 ;
李贤斌 .
中国专利 :CN120048404A ,2025-05-27
[3]
二维忆阻材料筛选方法、系统及二维忆阻材料 [P]. 
陈念科 ;
马明钰 ;
王丹 ;
黄宇婷 ;
李贤斌 .
中国专利 :CN120048404B ,2025-11-21
[4]
一种基于二维材料MXene的忆阻器阵列的制备方法 [P]. 
何南 ;
王钰琪 ;
王宇 ;
童祎 ;
贺林 ;
连晓娟 ;
万相 .
中国专利 :CN110176537A ,2019-08-27
[5]
基于二维材料纳米孔的纳流体忆阻器及其制备方法 [P]. 
王路达 ;
宋瑞洋 ;
王鹏 ;
曾海鸥 ;
张盛萍 ;
吴宁然 ;
佟峻赫 .
中国专利 :CN120152608A ,2025-06-13
[6]
忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料 [P]. 
姚国峰 ;
沈健 .
中国专利 :CN109155364B ,2019-01-04
[7]
一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法 [P]. 
熊伟 ;
张文广 ;
邓磊敏 ;
刘敬伟 ;
吴昊 ;
段军 .
中国专利 :CN110518117A ,2019-11-29
[8]
二维忆阻器及其制备方法 [P]. 
刘锴 ;
赵铂琛 .
中国专利 :CN119968108A ,2025-05-09
[9]
一种基于二维材料异质结的忆阻器及制备方法 [P]. 
武兴会 ;
崔娜娜 ;
瞿峥嵘 ;
张秋慧 ;
王晓琳 ;
孙冰鸽 ;
张智毅 .
中国专利 :CN118541019A ,2024-08-23
[10]
一种基于二维材料的异质结忆阻器及其制备方法 [P]. 
孙堂友 ;
谭振强 ;
李建华 ;
李海鸥 ;
陈赞辉 ;
邓兴 ;
张法碧 .
中国专利 :CN119744114A ,2025-04-01
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