忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880001001.4
申请日
2018-08-02
公开(公告)号
CN109155364B
公开(公告)日
2019-01-04
发明(设计)人
姚国峰 沈健
申请人
申请人地址
518052 广东省深圳市南山区南头街道南海大道西桃园路南西海明珠花园F座11楼B79
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
代理机构
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
孙涛;毛威
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器 [P]. 
姚国峰 ;
沈健 .
中国专利 :CN111279499A ,2020-06-12
[2]
忆阻器的制备方法,以及忆阻器 [P]. 
焦丽颖 ;
李哲威 .
中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28
[3]
忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P]. 
刘碧录 ;
陈文骏 ;
张荣杰 ;
郑荣戌 .
中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19
[4]
侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法 [P]. 
唐建石 ;
胡若飞 ;
高滨 ;
钱鹤 ;
吴华强 .
中国专利 :CN119365064A ,2025-01-24
[5]
一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法 [P]. 
田禾 ;
高彩芳 ;
刘晏铭 ;
吴凡 .
中国专利 :CN119654059B ,2025-08-05
[6]
一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法 [P]. 
田禾 ;
高彩芳 ;
刘晏铭 ;
吴凡 .
中国专利 :CN119654059A ,2025-03-18
[7]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
冯雪 ;
孟艳芳 ;
马寅佶 .
中国专利 :CN113555502A ,2021-10-26
[8]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
罗先刚 ;
周云霞 ;
李雄 .
中国专利 :CN120693056A ,2025-09-23
[9]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
宫勇吉 ;
韦钧天 ;
何倩倩 ;
王蕾 .
中国专利 :CN117396062A ,2024-01-12
[10]
忆阻器及其制备方法 [P]. 
吴华强 ;
钱鹤 ;
李辛毅 .
中国专利 :CN114256289A ,2022-03-29