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忆阻器电极材料的制备方法、制备装置和忆阻器电极材料
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201880001001.4
申请日
:
2018-08-02
公开(公告)号
:
CN109155364B
公开(公告)日
:
2019-01-04
发明(设计)人
:
姚国峰
沈健
申请人
:
申请人地址
:
518052 广东省深圳市南山区南头街道南海大道西桃园路南西海明珠花园F座11楼B79
IPC主分类号
:
H01L4500
IPC分类号
:
代理机构
:
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
:
孙涛;毛威
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-23
授权
授权
2019-01-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180802
2019-01-04
公开
公开
共 50 条
[1]
忆阻器电极及其制备方法、忆阻器和阻变式存储器
[P].
姚国峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
姚国峰
;
沈健
论文数:
0
引用数:
0
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0
沈健
.
中国专利
:CN111279499A
,2020-06-12
[2]
忆阻器的制备方法,以及忆阻器
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
焦丽颖
;
李哲威
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
清华大学
清华大学
李哲威
.
中国专利
:CN119730711A
,2025-03-28
[3]
忆阻器制备方法、忆阻器及设备
[P].
刘碧录
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘碧录
;
陈文骏
论文数:
0
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0
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0
陈文骏
;
张荣杰
论文数:
0
引用数:
0
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0
张荣杰
;
郑荣戌
论文数:
0
引用数:
0
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0
郑荣戌
.
中国专利
:CN113675336A
,2021-11-19
[4]
侧壁忆阻器、存储器和侧壁忆阻器制备方法
[P].
唐建石
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
唐建石
;
胡若飞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
胡若飞
;
高滨
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
高滨
;
钱鹤
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
钱鹤
;
吴华强
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海清华国际创新中心
上海清华国际创新中心
吴华强
.
中国专利
:CN119365064A
,2025-01-24
[5]
一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
田禾
;
高彩芳
论文数:
0
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0
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0
机构:
清华大学
清华大学
高彩芳
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘晏铭
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
吴凡
.
中国专利
:CN119654059B
,2025-08-05
[6]
一种二维材料忆阻器的纳米电极制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
田禾
;
高彩芳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
清华大学
清华大学
高彩芳
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘晏铭
;
论文数:
引用数:
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机构:
吴凡
.
中国专利
:CN119654059A
,2025-03-18
[7]
忆阻器及其制备方法
[P].
冯雪
论文数:
0
引用数:
0
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0
冯雪
;
孟艳芳
论文数:
0
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0
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0
孟艳芳
;
马寅佶
论文数:
0
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0
h-index:
0
马寅佶
.
中国专利
:CN113555502A
,2021-10-26
[8]
忆阻器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
罗先刚
;
周云霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
中国科学院光电技术研究所
中国科学院光电技术研究所
周云霞
;
论文数:
引用数:
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机构:
李雄
.
中国专利
:CN120693056A
,2025-09-23
[9]
忆阻器及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
宫勇吉
;
韦钧天
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京航空航天大学
北京航空航天大学
韦钧天
;
论文数:
引用数:
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机构:
何倩倩
;
论文数:
引用数:
h-index:
机构:
王蕾
.
中国专利
:CN117396062A
,2024-01-12
[10]
忆阻器及其制备方法
[P].
吴华强
论文数:
0
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0
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0
吴华强
;
钱鹤
论文数:
0
引用数:
0
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0
钱鹤
;
李辛毅
论文数:
0
引用数:
0
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0
李辛毅
.
中国专利
:CN114256289A
,2022-03-29
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