半导体激光器、半导体激光器制冷结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911361210.2

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN111082310A

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

潘华东靳嫣然周立王俊闵大勇廖新胜

申请人：

申请人地址：

215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋

IPC主分类号：

H01S5024

IPC分类号：

H01S5022

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

李博洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-28	公开	公开
2022-11-18	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/024 申请公布日:20200428
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/024 申请日:20191225
2021-03-12	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01S 5/024 变更事项:申请人变更前:苏州长光华芯光电技术有限公司变更后:苏州长光华芯光电技术股份有限公司变更事项:地址变更前:215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2栋变更后:215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203

共 50 条

[1]

半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法 [P].

外间洋平 ;

铃木洋介 .

中国专利 :CN112714986A ,2021-04-27

[2]

半导体激光器阵列、半导体激光器制冷装置及其制备方法 [P].

靳嫣然 ;

潘华东 ;

周立 ;

闵大勇 ;

廖新胜 ;

王俊 .

中国专利 :CN111129943A ,2020-05-08

[3]

半导体激光器、半导体激光器装置以及半导体激光器的制造方法 [P].

前原宏昭 ;

平聪 ;

渊田步 ;

铃木凉子 ;

宫越亮辅 .

日本专利 :CN119213646A ,2024-12-27

[4]

半导体激光器以及半导体激光器制造方法 [P].

中村直干 ;

河原弘幸 ;

松本启资 ;

铃木凉子 ;

平聪 .

日本专利 :CN118266139A ,2024-06-28

[5]

半导体激光器制冷结构、半导体激光器及其叠阵 [P].

贾阳涛 ;

王卫锋 ;

刘兴胜 .

中国专利 :CN206806725U ,2017-12-26

[6]

半导体激光器和半导体激光器的制造方法 [P].

彼得·扬德 .

德国专利 :CN113056850B ,2025-04-29

[7]

半导体激光器芯片、半导体激光器及制造方法 [P].

魏思航 ;

周江昊 ;

刘巍 .

中国专利 :CN121238324A ,2025-12-30

[8]

半导体激光器和半导体激光器的制造方法 [P].

彼得·扬德 .

中国专利 :CN113056850A ,2021-06-29

[9]

半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 [P].

多田健太郎 ;

远藤健司 ;

深谷一夫 ;

奥田哲朗 ;

小林正英 .

中国专利 :CN101820135A ,2010-09-01

[10]

半导体激光器模块、半导体激光器光源和半导体激光器系统 [P].

前田纯也 ;

远藤和幸 ;

大宫丈典 ;

森田刚德 ;

吉田治正 ;

宫岛博文 .

中国专利 :CN104914518A ,2015-09-16

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