复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02156679.8

申请日：

2002-12-19

公开(公告)号：

CN1416987A

公开(公告)日：

2003-05-14

发明(设计)人：

周美玲李洪义王金淑张久兴左铁镛

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

B22F3105

IPC分类号：

C22C104 C22C2800

代理机构：

北京工大思海专利代理有限责任公司

代理人：

张慧

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2003-05-14	公开	公开
2003-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

二元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

聂祚仁 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1360079A ,2002-07-24

[2]

三元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

李洪义 .

中国专利 :CN1389890A ,2003-01-08

[3]

纳米复合稀土钨电子发射材料的放电等离子制备方法 [P].

聂祚仁 ;

席晓丽 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1234147C ,2005-03-02

[4]

含铈的稀土钼电子发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

刘伟 ;

周美玲 .

中国专利 :CN1693284A ,2005-11-09

[5]

一种利用放电等离子烧结制备稀土永磁材料的方法 [P].

陈秀云 ;

姜忠良 ;

潘伟 ;

胡晓清 ;

朱静 .

中国专利 :CN1153232C ,2002-07-17

[6]

复合稀土钼材料及其制备方法 [P].

张久兴 ;

周美玲 ;

王金淑 ;

聂祚仁 ;

刘璐 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1078260C ,1999-12-22

[7]

放电等离子烧结制备铜钨触头材料的方法 [P].

赵伟鹏 ;

郭创立 ;

周宁 ;

周兴 .

中国专利 :CN106180653B ,2016-12-07

[8]

一种通过放电等离子烧结制备层状复合材料的方法 [P].

武高辉 ;

刘凯 ;

芶华松 ;

杨文澍 .

中国专利 :CN110465670B ,2019-11-19

[9]

一种以放电等离子烧结制备钨钼铜复合材料的方法 [P].

冯可芹 ;

周虹伶 ;

柯思璇 .

中国专利 :CN107326241B ,2017-11-07

[10]

一种sps放电等离子烧结炉的清理装置 [P].

何如森 ;

李海峰 ;

姜涛 .

中国专利 :CN212793006U ,2021-03-26

← 1 2 3 4 5 →