复合稀土钼材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99109751.3

申请日：

1999-07-12

公开(公告)号：

CN1078260C

公开(公告)日：

1999-12-22

发明(设计)人：

张久兴周美玲王金淑聂祚仁刘璐左铁镛

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C22C2706

IPC分类号：

C22C104 C22C110

代理机构：

北京工大思达专利事务所

代理人：

张慧

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1999-11-24	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2011-04-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101062752291 IPC(主分类):C22C 27/06 专利号:ZL991097513 申请日:19990712 授权公告日:20020123 终止日期:20090812
1999-12-22	公开	公开
2003-01-08	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更事项:专利权人变更前权利人:北京工业大学变更后权利人:北京工大智源科技发展有限公司登记生效日:20021115
2002-01-23	授权	授权

共 50 条

[1]

含铈的稀土钼电子发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

刘伟 ;

周美玲 .

中国专利 :CN1693284A ,2005-11-09

[2]

二元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

聂祚仁 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1360079A ,2002-07-24

[3]

三元稀土钼次级发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

李洪义 .

中国专利 :CN1389890A ,2003-01-08

[4]

多元复合稀土电子发射材料及其制备方法 [P].

章德铭 ;

崔云涛 ;

张曙光 ;

任先京 ;

彭鹰 ;

王芦燕 .

中国专利 :CN103769581A ,2014-05-07

[5]

复合稀土钼次级发射材料的放电等离子快速烧结(SPS)的制备方法 [P].

周美玲 ;

李洪义 ;

王金淑 ;

张久兴 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1416987A ,2003-05-14

[6]

Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

刘伟 ;

高非 ;

任志远 ;

周美玲 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN101447376A ,2009-06-03

[7]

Y2O3-Gd2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法 [P].

王金淑 ;

刘伟 ;

高非 ;

任志远 ;

周美玲 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN101447377B ,2009-06-03

[8]

高含量多元复合稀土钨电极材料及其制备方法 [P].

聂祚仁 ;

胡福成 ;

杨建参 ;

李炳山 .

中国专利 :CN1616185A ,2005-05-18

[9]

三元复合稀土钨电极材料及其制备方法 [P].

聂祚仁 ;

周美玲 ;

张久兴 ;

陈颖 .

中国专利 :CN1060709C ,1998-12-30

[10]

电子管阴极材料及其制备方法 [P].

周美玲 ;

张久兴 ;

聂祚仁 ;

王金淑 ;

左铁镛 .

中国专利 :CN1089813C ,2000-01-05

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