抛光体、抛光装置、半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN03814479.4
申请日
2003-06-20
公开(公告)号
CN100362630C
公开(公告)日
2005-08-31
发明(设计)人
星野进 菅谷功
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
H01L21304
IPC分类号
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
孙志湧;钟强
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法 [P]. 
星野进 ;
宇田丰 ;
菅谷功 .
中国专利 :CN1224082C ,2004-05-05
[2]
半导体器件的制造方法、抛光方法及抛光装置 [P]. 
白数哲哉 .
中国专利 :CN1841671A ,2006-10-04
[3]
抛光装置和半导体器件的制造方法 [P]. 
安宰仁 ;
尹钟旭 ;
郑恩先 ;
徐章源 .
中国专利 :CN115703209A ,2023-02-17
[4]
抛光器件及其制备方法、抛光方法以及半导体器件 [P]. 
张洁 ;
林武庆 ;
陈文鹏 ;
叶智荃 .
中国专利 :CN110653720B ,2020-01-07
[5]
半导体器件制造方法和抛光装置 [P]. 
小寺雅子 .
中国专利 :CN101009240A ,2007-08-01
[6]
抛光系统、抛光垫以及半导体器件的制造方法 [P]. 
安宰仁 ;
金京焕 ;
马圣欢 ;
徐章源 .
中国专利 :CN115401601A ,2022-11-29
[7]
抛光系统、抛光垫以及半导体器件的制造方法 [P]. 
安宰仁 ;
金京焕 ;
明康植 ;
徐章源 .
韩国专利 :CN115401601B ,2024-05-14
[8]
半导体器件、半导体器件模块以及半导体器件的制造方法 [P]. 
野本隆司 ;
米田义之 ;
中村公一 .
中国专利 :CN103390612B ,2013-11-13
[9]
半导体器件以及半导体器件制造方法 [P]. 
李彰洙 ;
李钟鸣 ;
金益秀 ;
任智芸 .
中国专利 :CN112614847A ,2021-04-06
[10]
半导体器件制造方法以及半导体器件 [P]. 
中村猛利 ;
齐藤博 .
中国专利 :CN1835196B ,2006-09-20