抛光装置和半导体器件的制造方法

被引：0

申请号：

CN202210957581.2

申请日：

2022-08-10

公开(公告)号：

CN115703209A

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

安宰仁尹钟旭郑恩先徐章源

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

B24B3710

IPC分类号：

B24B3722 B24B3724 B24B3726 B24B3730 B24B3734 B24B5702 B24B104 B24B4710

代理机构：

成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258

代理人：

赵瑞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

抛光体、抛光装置、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

星野进 ;

菅谷功 .

中国专利 :CN100362630C ,2005-08-31

[2]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

郑文一 ;

金度润 ;

高井健次 ;

文得圭 ;

尹民希 .

韩国专利 :CN112812691B ,2024-04-09

[3]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

高允锡 ;

李政勋 ;

池尚洙 ;

F·卡利尼纳 ;

李昡在 .

韩国专利 :CN119875513A ,2025-04-25

[4]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

郑文一 ;

金度润 ;

高井健次 ;

文得圭 ;

尹民希 .

中国专利 :CN112812691A ,2021-05-18

[5]

半导体器件制造方法和抛光装置 [P].

小寺雅子 .

中国专利 :CN101009240A ,2007-08-01

[6]

半导体器件的制造方法、抛光方法及抛光装置 [P].

白数哲哉 .

中国专利 :CN1841671A ,2006-10-04

[7]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

尹晟勋 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115302401A ,2022-11-08

[8]

抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P].

尹晟勋 ;

安宰仁 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

韩国专利 :CN115302401B ,2024-03-08

[9]

抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

安宰仁 ;

金京焕 .

中国专利 :CN114083432A ,2022-02-25

[10]

抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法 [P].

尹钟旭 ;

许惠暎 ;

安宰仁 ;

金京焕 .

韩国专利 :CN119795027A ,2025-04-11

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