抛光浆料和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011101370.6

申请日：

2020-10-15

公开(公告)号：

CN112812691B

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

郑文一金度润高井健次文得圭尹民希

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C09G1/02

IPC分类号：

H01L21/321

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王华芹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

郑文一 ;

金度润 ;

高井健次 ;

文得圭 ;

尹民希 .

中国专利 :CN112812691A ,2021-05-18

[2]

抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P].

高允锡 ;

李政勋 ;

池尚洙 ;

F·卡利尼纳 ;

李昡在 .

韩国专利 :CN119875513A ,2025-04-25

[3]

碳磨料和抛光浆料以及制造半导体器件的方法 [P].

高井健次 ;

金度润 .

中国专利 :CN112480867A ,2021-03-12

[4]

抛光装置和半导体器件的制造方法 [P].

安宰仁 ;

尹钟旭 ;

郑恩先 ;

徐章源 .

中国专利 :CN115703209A ,2023-02-17

[5]

CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法 [P].

南幅学 ;

福岛大 ;

山本进 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1626600A ,2005-06-15

[6]

CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法 [P].

南幅学 ;

松井之辉 ;

矢野博之 .

中国专利 :CN1295758C ,2004-12-01

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

尾藤康则 .

中国专利 :CN102569296A ,2012-07-11

[9]

用于化学机械抛光的浆料组合物和制造半导体器件的方法 [P].

全祐成 ;

朴用邰 ;

金度润 ;

有在勋 ;

张善财 ;

赵成植 .

韩国专利 :CN119161806A ,2024-12-20

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29

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