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抛光浆料和制造半导体器件的方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411485117.3
申请日：
2024-10-23
公开(公告)号：
CN119875513A
公开(公告)日：
2025-04-25
发明(设计)人：
高允锡 李政勋 池尚洙 F·卡利尼纳 李昡在
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
C09G1/02
IPC分类号：
H01L21/321
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
王华芹;金拟粲
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 公开 公开
共 50 条
[1]
抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P]. 
郑文一 ;
金度润 ;
高井健次 ;
文得圭 ;
尹民希 .
韩国专利 :CN112812691B ,2024-04-09
[2]
抛光浆料和制造半导体器件的方法 [P]. 
郑文一 ;
金度润 ;
高井健次 ;
文得圭 ;
尹民希 .
中国专利 :CN112812691A ,2021-05-18
[3]
碳磨料和抛光浆料以及制造半导体器件的方法 [P]. 
高井健次 ;
金度润 .
中国专利 :CN112480867A ,2021-03-12
[4]
抛光装置和半导体器件的制造方法 [P]. 
安宰仁 ;
尹钟旭 ;
郑恩先 ;
徐章源 .
中国专利 :CN115703209A ,2023-02-17
[5]
CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法 [P]. 
南幅学 ;
福岛大 ;
山本进 ;
矢野博之 .
中国专利 :CN1626600A ,2005-06-15
[6]
CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法 [P]. 
南幅学 ;
松井之辉 ;
矢野博之 .
中国专利 :CN1295758C ,2004-12-01
[7]
半导体器件制造方法和抛光装置 [P]. 
小寺雅子 .
中国专利 :CN101009240A ,2007-08-01
[8]
抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P]. 
尹晟勋 ;
安宰仁 ;
郑恩先 ;
徐章源 .
中国专利 :CN115302401A ,2022-11-08
[9]
抛光垫、抛光垫的制备方法以及半导体器件的制造方法 [P]. 
尹晟勋 ;
安宰仁 ;
郑恩先 ;
徐章源 .
韩国专利 :CN115302401B ,2024-03-08
[10]
抛光体、抛光装置、半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
星野进 ;
菅谷功 .
中国专利 :CN100362630C ,2005-08-31
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