铁电存储器件及其制造方法、半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580051763.8

申请日：

2005-10-03

公开(公告)号：

CN100587942C

公开(公告)日：

2008-10-01

发明(设计)人：

佐次田直也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L218246

IPC分类号：

H01L27105 H01L21822 H01L2704

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

法律状态：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038220760 IPC(主分类):H01L 21/8246 专利号:ZL2005800517638 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2010-02-03	授权	授权
2021-09-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8246 申请日:20051003 授权公告日:20100203 终止日期:20201003
2008-11-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-10-01	公开	公开
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038220759 IPC(主分类):H01L 21/8246 专利号:ZL2005800517638 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市

共 50 条

[1]

铁电存储器件及其制造方法、半导体器件的制造方法 [P].

佐次田直也 .

中国专利 :CN101248523B ,2008-08-20

[2]

铁电存储器件及其制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

佐次田直也 .

中国专利 :CN100511684C ,2007-03-07

[3]

铁电存储器件及其制造方法 [P].

郑东镇 ;

金奇南 .

中国专利 :CN100539013C ,1999-12-29

[4]

铁电存储器件及其制造方法 [P].

林孝尚 .

中国专利 :CN100580931C ,2006-12-20

[5]

具有铁电膜的半导体器件及其制造方法 [P].

金谷宏行 ;

安德里亚斯·希利格 .

中国专利 :CN1723562A ,2006-01-18

[6]

铁电存储器器件及其制造方法 [P].

卫怡扬 ;

林子羽 ;

李璧伸 ;

金海光 ;

林杏莲 ;

匡训冲 .

中国专利 :CN114709213A ,2022-07-05

[7]

铁电存储器件及其制造方法 [P].

郭美澜 ;

胡禺石 ;

吕震宇 ;

孙坚华 .

中国专利 :CN117981490A ,2024-05-03

[8]

铁电存储器件及其制造方法 [P].

郭美澜 ;

胡禺石 ;

吕震宇 .

中国专利 :CN117957930A ,2024-04-30

[9]

铁电存储器件及其制造方法 [P].

刘香根 .

中国专利 :CN109256386A ,2019-01-22

[10]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

小川久 ;

中冈弘明 ;

柁谷敦宏 ;

桥本伸 ;

江头恭子 .

中国专利 :CN1498424A ,2004-05-19

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