一种导模法生长氧化镓单晶的半封闭式导模板

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820302628.0

申请日：

2018-03-05

公开(公告)号：

CN208008938U

公开(公告)日：

2018-10-26

发明(设计)人：

陈闯

申请人：

申请人地址：

100094 北京市海淀区北清路新材料创业大厦B座426

IPC主分类号：

C30B1534

IPC分类号：

C30B2916

代理机构：

北京永创新实专利事务所 11121

代理人：

祗志洁

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 15/34 登记生效日:20210513 变更事项:专利权人变更前权利人:北京镓族科技有限公司变更后权利人:北京铭镓半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:101399 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房二层西侧北部变更后权利人:101300 北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室
2018-10-26	授权	授权
2019-07-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 15/34 登记生效日:20190627 变更事项:专利权人变更前权利人:陈闯变更后权利人:北京镓族科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100094 北京市海淀区北清路新材料创业大厦B座426 变更后权利人:101399 北京市顺义区仁和镇顺强路一号一幢2号厂房二层西侧北部

共 50 条

[1]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的导模板 [P].

张先海 .

中国专利 :CN207919017U ,2018-09-28

[2]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具 [P].

郑东 ;

王鑫 ;

张兴姿 .

中国专利 :CN220597691U ,2024-03-15

[3]

一种导模法生长氧化镓单晶的模具 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN214458440U ,2021-10-22

[4]

一种导模法生长氧化镓单晶的模具 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN214458441U ,2021-10-22

[5]

一种导模法生长氧化镓单晶的上热场结构与生长装置 [P].

赛青林 ;

齐红基 ;

卜予哲 ;

潘明艳 ;

贾宁 ;

王斌 .

中国专利 :CN118996627A ,2024-11-22

[6]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具及氧化镓单晶生长方法 [P].

潘明艳 ;

纪为国 ;

姜博文 ;

范骐鸣 ;

张璐 ;

吕聪 ;

吴逸晨 ;

齐红基 ;

赛青林 ;

贾宁 ;

王斌 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN119980444A ,2025-05-13

[7]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的籽晶对位装置与方法 [P].

齐红基 ;

秦娟 ;

沈娟芬 .

中国专利 :CN120174469A ,2025-06-20

[8]

一种导模法生长氧化镓单晶的模具及生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN112831832A ,2021-05-25

[9]

一种导模法生长氧化镓单晶的模具及生长方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN112831832B ,2024-10-18

[10]

导模法生长大尺寸(010)主面氧化镓单晶的装置、系统和方法 [P].

穆文祥 ;

陶绪堂 .

中国专利 :CN118600532A ,2024-09-06

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