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一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910917332.9
申请日
:
2019-09-26
公开(公告)号
:
CN112552070B
公开(公告)日
:
2021-03-26
发明(设计)人
:
徐强
王长建
宋山青
周维
申请人
:
申请人地址
:
518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号
IPC主分类号
:
C04B3702
IPC分类号
:
代理机构
:
北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442
代理人
:
马铁良
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-11
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 37/02 申请日:20190926
2021-03-26
公开
公开
2022-03-18
授权
授权
共 50 条
[1]
一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
宋山青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋山青
;
徐强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐强
;
吴波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴波
.
中国专利
:CN110937912A
,2020-03-31
[2]
一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
吴海兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴海兵
;
陈应峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈应峰
.
中国专利
:CN114230361B
,2022-03-25
[3]
一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
施纯锡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建华清电子材料科技有限公司
福建华清电子材料科技有限公司
施纯锡
;
冯家伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
福建华清电子材料科技有限公司
福建华清电子材料科技有限公司
冯家伟
.
中国专利
:CN117736006A
,2024-03-22
[4]
一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
孟瑜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
孟瑜
;
胡昕熠
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
胡昕熠
;
张秀萍
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
张秀萍
;
贾聪颖
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
贾聪颖
;
杨潘
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
杨潘
;
王梓殴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
王梓殴
;
刘明霞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
西安文理学院
西安文理学院
刘明霞
.
中国专利
:CN119930331A
,2025-05-06
[5]
氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
张义政
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张义政
;
高岭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高岭
;
吴亚光
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴亚光
;
刘旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘旭
;
鲍禹希
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
鲍禹希
;
张腾
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张腾
;
张金利
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张金利
;
张崤君
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张崤君
;
刘林杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘林杰
;
乔志壮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
乔志壮
;
刘思雨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
刘思雨
.
中国专利
:CN112679220A
,2021-04-20
[6]
覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
李德善
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李德善
;
朴贤卿
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朴贤卿
;
竹子川
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
竹子川
;
蔡亚果
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蔡亚果
;
高维
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
高维
.
中国专利
:CN109734470A
,2019-05-10
[7]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板
[P].
杨晓冬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
杨晓冬
;
冼锐炜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
冼锐炜
.
中国专利
:CN120349192A
,2025-07-22
[8]
基于氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备SiC功率模块方法
[P].
周安安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
珠海市沃德科技有限公司
珠海市沃德科技有限公司
周安安
;
彭树荣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
珠海市沃德科技有限公司
珠海市沃德科技有限公司
彭树荣
;
吴执东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
珠海市沃德科技有限公司
珠海市沃德科技有限公司
吴执东
.
中国专利
:CN120261299A
,2025-07-04
[9]
氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
杨晓冬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长沙华驰微电子技术有限公司
长沙华驰微电子技术有限公司
杨晓冬
.
中国专利
:CN117776739A
,2024-03-29
[10]
一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法
[P].
宋山青
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宋山青
;
徐强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐强
;
吴波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴波
.
中国专利
:CN110937913B
,2020-03-31
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