氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311703848.6

申请日：

2023-12-12

公开(公告)号：

CN117776739A

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

杨晓冬

申请人：

长沙华驰微电子技术有限公司

申请人地址：

410026 湖南省长沙市开福区月湖街道文创路6号马栏山创意中心B栋12层

IPC主分类号：

C04B35/587

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/64 C04B35/634 C04B35/632

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

孟嘉欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/587申请日:20231212
2024-03-29	公开	公开
2025-09-30	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):C04B 35/587登记生效日:20250913变更事项:申请人变更前权利人:长沙华驰微电子技术有限公司变更后权利人:长沙瑶熙半导体科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:410026 湖南省长沙市开福区月湖街道文创路6号马栏山创意中心B栋12层变更后权利人:410200 湖南省长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园区2号栋厂房2楼

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[2]

氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

林信平 ;

江品颐 ;

杨伟强 ;

吴伟鹏 .

中国专利 :CN117800741A ,2024-04-02

[3]

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P].

黄荣厦 ;

吴建波 ;

刘超华 ;

林华泰 .

中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10

[4]

一种氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法和应用 [P].

伍尚华 ;

黄容基 ;

蒋强国 ;

伍海东 ;

刘文勇 .

中国专利 :CN108675796B ,2018-10-19

[5]

氮化硅陶瓷基板及其制造方法 [P].

邢孟江 ;

杨晓东 ;

代传相 ;

邢孟道 ;

刘永红 .

中国专利 :CN114409413A ,2022-04-29

[6]

高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈颖豪 .

中国专利 :CN112159236A ,2021-01-01

[7]

氮化硅、陶瓷浆料及制备方法 [P].

崔巍 ;

成会明 ;

邹艺峰 ;

李飞 ;

张杰 .

中国专利 :CN109721370B ,2019-05-07

[8]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

李镔 ;

陈波 ;

韦中华 ;

张伟儒 ;

王子诚 ;

牛爱新 .

中国专利 :CN113620716B ,2021-11-09

[9]

氮化硅粉体及其制备方法、氮化硅陶瓷 [P].

韩召 ;

刘鹏飞 ;

郗威 ;

吴六顺 .

中国专利 :CN118420356A ,2024-08-02

[10]

一种光固化氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

伍尚华 ;

黄容基 ;

伍海东 ;

蒋强国 ;

鲁欣欣 .

中国专利 :CN108892515B ,2018-11-27

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