氮化硅陶瓷基板及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202111472033.2

申请日：

2021-12-06

公开(公告)号：

CN114409413A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

邢孟江杨晓东代传相邢孟道刘永红

申请人：

申请人地址：

313000 浙江省湖州市西塞山路819号南太湖科技创新综合体B2幢8层

IPC主分类号：

C04B35583

IPC分类号：

C04B35622 C04B3808

代理机构：

北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11636

代理人：

王婷婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	公开	公开
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/583 申请日:20211206

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

杨晓冬 .

中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29

[2]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[3]

氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

林信平 ;

江品颐 ;

杨伟强 ;

吴伟鹏 .

中国专利 :CN117800741A ,2024-04-02

[4]

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P].

黄荣厦 ;

吴建波 ;

刘超华 ;

林华泰 .

中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10

[5]

高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈颖豪 .

中国专利 :CN112159236A ,2021-01-01

[6]

覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

李德善 ;

朴贤卿 ;

竹子川 ;

蔡亚果 ;

高维 .

中国专利 :CN109734470A ,2019-05-10

[7]

氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法 [P].

加贺洋一郎 .

中国专利 :CN103781742A ,2014-05-07

[8]

氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板 [P].

本田道夫 ;

藤永昌孝 ;

王丸卓司 ;

柴田耕司 ;

山田哲夫 .

中国专利 :CN112912356A ,2021-06-04

[9]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备工艺 [P].

袁宇飞 ;

陈刚 ;

张光旻 .

中国专利 :CN118307326A ,2024-07-09

[10]

氮化硅基板及其制备方法和应用 [P].

杨燕 ;

刘鹏程 ;

吴狄佩 ;

赵海龙 ;

黄焕 ;

彭翔 .

中国专利 :CN120483735A ,2025-08-15

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