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氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110944655.4
申请日
:
2021-08-17
公开(公告)号
:
CN113773092A
公开(公告)日
:
2021-12-10
发明(设计)人
:
黄荣厦
吴建波
刘超华
林华泰
申请人
:
申请人地址
:
510000 广东省广州市东风东路729号
IPC主分类号
:
C04B35584
IPC分类号
:
C04B35626
C04B35622
代理机构
:
广州专理知识产权代理事务所(普通合伙) 44493
代理人
:
张凤
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-10
公开
公开
2021-12-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20210817
共 50 条
[1]
氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板
[P].
杨晓冬
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
杨晓冬
;
冼锐炜
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机构:
长沙瑶熙半导体科技有限公司
长沙瑶熙半导体科技有限公司
冼锐炜
.
中国专利
:CN120349192A
,2025-07-22
[2]
氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
杨晓冬
论文数:
0
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0
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0
机构:
长沙华驰微电子技术有限公司
长沙华驰微电子技术有限公司
杨晓冬
.
中国专利
:CN117776739A
,2024-03-29
[3]
氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
林信平
论文数:
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
林信平
;
江品颐
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
江品颐
;
杨伟强
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
杨伟强
;
吴伟鹏
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机构:
比亚迪股份有限公司
比亚迪股份有限公司
吴伟鹏
.
中国专利
:CN117800741A
,2024-04-02
[4]
高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
陈颖豪
论文数:
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陈颖豪
.
中国专利
:CN112159236A
,2021-01-01
[5]
覆铜氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
李德善
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李德善
;
朴贤卿
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朴贤卿
;
竹子川
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竹子川
;
蔡亚果
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蔡亚果
;
高维
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0
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高维
.
中国专利
:CN109734470A
,2019-05-10
[6]
氮化硅陶瓷基板及其制造方法
[P].
邢孟江
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邢孟江
;
杨晓东
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杨晓东
;
代传相
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代传相
;
邢孟道
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邢孟道
;
刘永红
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刘永红
.
中国专利
:CN114409413A
,2022-04-29
[7]
一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
李镔
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李镔
;
陈波
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陈波
;
韦中华
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韦中华
;
张伟儒
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张伟儒
;
王子诚
论文数:
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王子诚
;
牛爱新
论文数:
0
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牛爱新
.
中国专利
:CN113620716B
,2021-11-09
[8]
一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
江楠
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机构:
乐山职业技术学院
乐山职业技术学院
江楠
;
邓开
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机构:
乐山职业技术学院
乐山职业技术学院
邓开
;
宋经纬
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机构:
乐山职业技术学院
乐山职业技术学院
宋经纬
;
李牧远
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机构:
乐山职业技术学院
乐山职业技术学院
李牧远
;
何帆
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机构:
乐山职业技术学院
乐山职业技术学院
何帆
.
中国专利
:CN116462515B
,2024-06-21
[9]
一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
田鑫
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田鑫
;
徐涛
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徐涛
;
倪世军
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倪世军
;
伊恒彬
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伊恒彬
;
奚克波
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奚克波
;
常艳杰
论文数:
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常艳杰
.
中国专利
:CN113233903A
,2021-08-10
[10]
一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法
[P].
方豪杰
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
方豪杰
;
贺亦文
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
贺亦文
;
张晓云
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
张晓云
;
张国秀
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
张国秀
;
方美玲
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
方美玲
;
刘建平
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
刘建平
;
曾雄
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机构:
湖南省美程陶瓷科技有限公司
湖南省美程陶瓷科技有限公司
曾雄
.
中国专利
:CN119350042A
,2025-01-24
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