一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110053149.6

申请日：

2021-01-15

公开(公告)号：

CN113233903A

公开(公告)日：

2021-08-10

发明(设计)人：

田鑫徐涛倪世军伊恒彬奚克波常艳杰

申请人：

申请人地址：

125208 辽宁省葫芦岛市戴河新区A区燕山路东段11号

IPC主分类号：

C04B35596

IPC分类号：

C04B35622 C04B35645

代理机构：

安徽中辰臻远专利代理事务所(普通合伙) 34175

代理人：

李田

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/596 申请日:20210115
2021-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

杨晓冬 .

中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29

[2]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[3]

氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

林信平 ;

江品颐 ;

杨伟强 ;

吴伟鹏 .

中国专利 :CN117800741A ,2024-04-02

[4]

一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法 [P].

吴海兵 ;

陈应峰 .

中国专利 :CN114230361B ,2022-03-25

[5]

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P].

黄荣厦 ;

吴建波 ;

刘超华 ;

林华泰 .

中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10

[6]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

李镔 ;

陈波 ;

韦中华 ;

张伟儒 ;

王子诚 ;

牛爱新 .

中国专利 :CN113620716B ,2021-11-09

[7]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

江楠 ;

邓开 ;

宋经纬 ;

李牧远 ;

何帆 .

中国专利 :CN116462515B ,2024-06-21

[8]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN119350042A ,2025-01-24

[9]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN119350042B ,2025-03-11

[10]

一种氮化硅基复合陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈琦 ;

李显坪 ;

唐宝发 ;

杨在富 ;

邵家伟 ;

吴宇皓 .

中国专利 :CN117820004B ,2025-08-26

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