一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411908918.6

申请日：

2024-12-24

公开(公告)号：

CN119350042B

公开(公告)日：

2025-03-11

发明(设计)人：

方豪杰贺亦文张晓云张国秀方美玲刘建平曾雄

申请人：

湖南省美程陶瓷科技有限公司

申请人地址：

417600 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园

IPC主分类号：

C04B35/584

IPC分类号：

C04B35/622 C04B35/634 C04B35/64 C04B35/80

代理机构：

北京众元弘策知识产权代理有限公司 11462

代理人：

刘东升

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):C04B 35/584变更事项:专利权人变更前:湖南省美程陶瓷科技有限公司变更后:湖南省美程新材料科技股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:417600 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园变更后:417600 湖南省娄底市新化县经济开发区向红工业园
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/584申请日:20241224
2025-01-24	公开	公开
2025-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

方豪杰 ;

贺亦文 ;

张晓云 ;

张国秀 ;

方美玲 ;

刘建平 ;

曾雄 .

中国专利 :CN119350042A ,2025-01-24

[2]

氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

杨晓冬 .

中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29

[3]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[4]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

李镔 ;

陈波 ;

韦中华 ;

张伟儒 ;

王子诚 ;

牛爱新 .

中国专利 :CN113620716B ,2021-11-09

[5]

高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈颖豪 .

中国专利 :CN112159236A ,2021-01-01

[6]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

江楠 ;

邓开 ;

宋经纬 ;

李牧远 ;

何帆 .

中国专利 :CN116462515B ,2024-06-21

[7]

氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

林信平 ;

江品颐 ;

杨伟强 ;

吴伟鹏 .

中国专利 :CN117800741A ,2024-04-02

[8]

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P].

黄荣厦 ;

吴建波 ;

刘超华 ;

林华泰 .

中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10

[9]

一种流延法制备氮化硅陶瓷基板的方法 [P].

胡文财 ;

黄文思 ;

雷富坤 ;

施纯锡 .

中国专利 :CN119751083A ,2025-04-04

[10]

一种有颜色的氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

施纯锡 ;

杨大胜 ;

冯家伟 .

中国专利 :CN118084505A ,2024-05-28

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