半导体结构形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010493177.5

申请日：

2020-06-03

公开(公告)号：

CN112420705A

公开(公告)日：

2021-02-26

发明(设计)人：

V·亚达夫胡申李康乐 S·萨帕

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200603
2021-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构形成 [P].

胡申 ;

刘鸿威 ;

李晓 ;

解志强 ;

C·施塔勒 ;

J·B·赫尔 ;

A·A·卡恩德卡尔 ;

T·A·菲古拉 .

中国专利 :CN113013165A ,2021-06-22

[2]

半导体结构形成 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

C·雅各布 .

中国专利 :CN112992791A ,2021-06-18

[3]

半导体结构形成 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

C·雅各布 .

美国专利 :CN112992791B ,2024-03-12

[4]

半导体结构形成 [P].

V·亚达夫 ;

F·A·席赛克-艾吉 ;

S·萨帕 ;

T·A·菲古拉 ;

李康乐 .

中国专利 :CN112447728A ,2021-03-05

[5]

半导体结构形成 [P].

N·R·塔皮亚斯 ;

S·萨帕 ;

A·A·汉德卡 ;

胡申 .

中国专利 :CN111799214A ,2020-10-20

[6]

半导体结构形成 [P].

S·萨卡尔 ;

J·A·伊莫尼吉 ;

K·H·庄 ;

J·J·J·穆图拉伊 ;

亚诺什·富克斯科 ;

B·E·格林伍德 ;

F·M·古德 .

美国专利 :CN113130754B ,2025-04-11

[7]

半导体结构形成 [P].

V·N·K·尼拉帕拉 ;

D·C·潘迪 ;

N·考希克 .

中国专利 :CN112992903A ,2021-06-18

[8]

半导体结构形成 [P].

S·萨卡尔 ;

J·A·伊莫尼吉 ;

K·H·庄 ;

J·J·J·穆图拉伊 ;

亚诺什·富克斯科 ;

B·E·格林伍德 ;

F·M·古德 .

中国专利 :CN113130754A ,2021-07-16

[9]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[10]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

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