半导体结构形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011330998.3

申请日：

2020-11-24

公开(公告)号：

CN113130754B

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

S·萨卡尔 J·A·伊莫尼吉 K·H·庄 J·J·J·穆图拉伊亚诺什·富克斯科 B·E·格林伍德 F·M·古德

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H10B80/00

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构形成 [P].

S·萨卡尔 ;

J·A·伊莫尼吉 ;

K·H·庄 ;

J·J·J·穆图拉伊 ;

亚诺什·富克斯科 ;

B·E·格林伍德 ;

F·M·古德 .

中国专利 :CN113130754A ,2021-07-16

[2]

半导体结构形成 [P].

N·R·塔皮亚斯 ;

S·萨帕 ;

A·A·汉德卡 ;

胡申 .

中国专利 :CN111799214A ,2020-10-20

[3]

半导体结构形成 [P].

胡申 ;

刘鸿威 ;

李晓 ;

解志强 ;

C·施塔勒 ;

J·B·赫尔 ;

A·A·卡恩德卡尔 ;

T·A·菲古拉 .

中国专利 :CN113013165A ,2021-06-22

[4]

半导体结构形成 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

C·雅各布 .

中国专利 :CN112992791A ,2021-06-18

[5]

半导体结构形成 [P].

F·A·席赛克-艾吉 ;

C·雅各布 .

美国专利 :CN112992791B ,2024-03-12

[6]

半导体结构形成 [P].

V·亚达夫 ;

F·A·席赛克-艾吉 ;

S·萨帕 ;

T·A·菲古拉 ;

李康乐 .

中国专利 :CN112447728A ,2021-03-05

[7]

半导体结构形成 [P].

V·N·K·尼拉帕拉 ;

D·C·潘迪 ;

N·考希克 .

中国专利 :CN112992903A ,2021-06-18

[8]

半导体结构形成 [P].

V·亚达夫 ;

胡申 ;

李康乐 ;

S·萨帕 .

中国专利 :CN112420705A ,2021-02-26

[9]

半导体结构形成方法 [P].

刘中元 ;

赵鹏 ;

马孝田 .

中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29

[10]

半导体结构形成方法 [P].

崔明 .

中国专利 :CN114613675A ,2022-06-10

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