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半导体结构及其形成方法

被引：0
申请号：
CN202110797130.2
申请日：
2021-07-14
公开(公告)号：
CN115621194A
公开(公告)日：
2023-01-17
发明(设计)人：
于海龙 韩静利 雒建明 张田田
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L218234
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-02-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210714
2023-01-17 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111755513A ,2020-10-09
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN112151377B ,2024-05-31
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN112151377A ,2020-12-29
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵猛 .
中国专利 :CN112017963A ,2020-12-01
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
金吉松 ;
苏柏青 ;
亚伯拉罕·庾 .
中国专利 :CN114512453A ,2022-05-17
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
纪世良 ;
肖杏宇 ;
张海洋 .
中国专利 :CN114256351A ,2022-03-29
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN113838802A ,2021-12-24
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN111627854A ,2020-09-04
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵炳贵 .
中国专利 :CN115083891A ,2022-09-20
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
赵炳贵 .
中国专利 :CN114141702B ,2025-10-31
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