纳米高纯二氧化硅的生产方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310123470.9

申请日：

2003-12-30

公开(公告)号：

CN1634763A

公开(公告)日：

2005-07-06

发明(设计)人：

吕佳来

申请人：

申请人地址：

610065四川省成都市四川大学西区390号联宇公司

IPC主分类号：

C01B33187

IPC分类号：

C01B33193

代理机构：

北京挺立专利事务所

代理人：

叶树明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-18	授权	授权
2011-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101059091711 IPC(主分类):C01B 33/187 专利号:ZL2003101234709 申请日:20031230 授权公告日:20061018 终止日期:20100201
2005-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

高纯二氧化硅生产方法 [P].

藏健 ;

杨大锦 ;

彭建蓉 ;

陈加希 ;

俞德庆 ;

和晓才 ;

董英 .

中国专利 :CN101125657A ,2008-02-20

[2]

高纯二氧化硅超微粉的生产方法 [P].

徐梦雷 .

中国专利 :CN1065212C ,1998-07-08

[3]

生产高纯二氧化硅的新方法 [P].

侯振海 .

中国专利 :CN101293655A ,2008-10-29

[4]

一种高纯二氧化硅加工系统及高纯二氧化硅加工方法 [P].

候军军 .

中国专利 :CN119608389A ,2025-03-14

[5]

高纯二氧化硅的制备装置 [P].

赵志波 ;

于秀暖 .

中国专利 :CN222076755U ,2024-11-29

[6]

一种高纯二氧化硅的生产方法 [P].

翟胤长 ;

张晓红 .

中国专利 :CN1579936A ,2005-02-16

[7]

一种纳米高纯二氧化硅的制备方法 [P].

马兵 ;

陈运法 ;

张建森 .

中国专利 :CN1281488C ,2005-12-28

[8]

高纯超细二氧化硅的生产方法 [P].

邱向明 ;

范中峰 ;

赵丕善 ;

李钦稿 .

中国专利 :CN101219791A ,2008-07-16

[9]

高纯生物二氧化硅产品 [P].

J·C·史乌 ;

S·K·帕姆 ;

T·R·史密斯 ;

G·A·雅莫克依 ;

J·D·塔尼古奇 ;

王群 .

中国专利 :CN1196003A ,1998-10-14

[10]

一种制备高纯球形二氧化硅的方法及高纯球形二氧化硅 [P].

王瑞聪 ;

银波 ;

范协诚 ;

闵中龙 ;

仝少超 .

中国专利 :CN112194142A ,2021-01-08

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